Szybkie przełączanie MOSFET MOSFET 800 V
$5510-199 Piece/Pieces
$45≥200Piece/Pieces
Rodzaj płatności: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
transport: | Ocean,Air |
Porta: | SHANGHAI |
$5510-199 Piece/Pieces
$45≥200Piece/Pieces
Rodzaj płatności: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
transport: | Ocean,Air |
Porta: | SHANGHAI |
Model No: YZPST-SP50N80FX
Marka: Yzpst
Rodzaj Dostawy: Oryginalny producent, ODM, Agencja, Detalista
Materiały Referencyjne: arkusz danych, Zdjęcie
Konfiguracja: Szyk
Obecny Podział: Nie dotyczy
Bieżące Wstrzymanie (Ih) (maksymalne): Nie dotyczy
Stan Bez Prądu (maksymalny): Nie dotyczy
Numer SCR, Dioda: Nie dotyczy
Temperatura Robocza: -55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
Typ SCR: Standardowe odzyskiwanie
Struktura: Nie dotyczy
Napięcie Włączone: Nie dotyczy
Wyzwalacz Bramki Napięciowej (Vgt) (maksymalny): Nie dotyczy
Wyjście Prądowe (maksymalne): Nie dotyczy
VDSS: 800V
ID: 50A
IDM: 200A
VGSS: ±30V
EAS: 4500mJ
EAR: 60mJ
P: 690w
TJ, Tstg: -55~+150ºC
800 V N-Kannel Moc Mosfet
YZPST-SP50N80FX
CECHY
Szybkie przełączanie
Testowane 100% lawiny
Ulepszona zdolność DV/DT
APLIKACJE
Zasilanie trybu przełącznika (SMP)
Zasilacz nieprzerwany (UPS)
Korekta współczynnika mocy (PFC)
Device Ordering Marking Packing Information |
|||
Ordering Number |
Package |
Marking |
Packing |
SP50N80FX |
SOT-227 |
SP50N80FX |
Tube |
Absolute Maximum Ratings TC = 25ºC, unless otherwise noted |
|||
Parameter |
Symbol |
Value |
Unit |
Drain-Source Voltage (VGS = 0V) |
VDSS |
800 |
V |
Continuous Drain Current |
ID |
50 |
A |
Pulsed Drain Current (note1) |
IDM |
200 |
A |
Gate-Source Voltage |
VGSS |
±30 |
V |
Single Pulse Avalanche Energy (note2) |
EAS |
4500 |
mJ |
Repetitive Avalanche Energy (note1) |
EAR |
60 |
mJ |
Power Dissipation (TC = 25ºC) |
PD |
690 |
W |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
TJ, Tstg |
-55~+150 |
ºC |
Caution: Stresses greater than those listed in the “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. |
Thermal Resistance |
|||
Parameter |
Symbol |
Value |
Unit |
Thermal Resistance, Junction-to-Case |
RthJC |
0.18 |
ºC/W |
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient |
RthJA |
40 |
Specifications TJ = 25ºC, unless otherwise noted |
||||||
Parameter |
Symbol |
Test Conditions |
Value |
Unit |
||
Min. |
Typ. |
Max. |
||||
Static |
||||||
Drain-Source Breakdown Voltage |
V(BR)DSS |
VGS = 0V, ID = 250µA |
800 |
-- |
-- |
V |
Zero Gate Voltage Drain Current |
IDSS |
VDS =800, VGS = 0V, TJ = 25ºC |
-- |
-- |
1.0 |
μA |
Gate-Source Leakage |
IGSS |
VGS = ±30V |
-- |
-- |
±100 |
nA |
Gate-Source Threshold Voltage |
VGS(th) |
IDS = 250µA |
2.5 |
-- |
4.5 |
V |
Drain-Source On-Resistance (Note3) |
RDS(on) |
VGS = 10V, ID = 25A |
-- |
120 |
130 |
mΩ |
Dynamic |
||||||
Input Capacitance |
Ciss |
VGS = 0V, VDS = 25V, f = 1.0MHz |
-- |
14600 |
-- |
pF |
Output Capacitance |
Coss |
-- |
1300 |
-- |
||
Reverse Transfer Capacitance |
Crss |
-- |
66 |
-- |
||
Total Gate Charge |
Qg |
VDD =400V, ID =50A, VGS = 10V |
-- |
360 |
-- |
nC |
Gate-Source Charge |
Qgs |
-- |
80 |
-- |
||
Gate-Drain Charge |
Qgd |
-- |
120 |
-- |
||
Turn-on Delay Time |
td(on) |
VDD = 400V, ID =50A, RG = 10 Ω |
-- |
110 |
-- |
ns |
Turn-on Rise Time |
tr |
-- |
200 |
-- |
||
Turn-off Delay Time |
td(off) |
-- |
160 |
-- |
||
Turn-off Fall Time |
tf |
-- |
185 |
-- |
||
Drain-Source Body Diode Characteristics |
||||||
Continuous Body Diode Current |
IS |
TC = 25 ºC |
-- |
-- |
50 |
A |
Pulsed Diode Forward Current |
ISM |
-- |
-- |
400 |
||
Body Diode Voltage |
VSD |
TJ = 25ºC, ISD = 25A, VGS = 0V |
-- |
-- |
1.4 |
V |
Reverse Recovery Time |
trr |
VGS = 0V,IS = 50A, diF/dt =100A /μs |
-- |
520 |
-- |
ns |
Reverse Recovery Charge |
Qrr |
-- |
5.0 |
-- |
μC |
Notatki
1. Powtarzająca się ocena: szerokość impulsu ograniczona przez maksymalną temperaturę połączenia
2. V DD = 50 V, R G = 25 Ω, początek t j = 25 ºC
Test impulsu: szerokość impulsu ≤ 300 μs, cykl pracy ≤ 1%
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.