Moduł MOSFET MOSFET 1000V

Name: Moduł mocy MOSFET YZPST-MS38N100
Uploaded: 2023-05-25T02:57:02+08:00
Description: Moduł mocy MOSFET YZPST-MS38N100

$31.520-99 Piece/Pieces

$21.5≥100Piece/Pieces

Rodzaj płatności:	T/T,L/C,Paypal
Incoterm:	FOB,CFR,CIF
transport:	Ocean,Land
Porta:	SHANGHAI

Option:

VDSS：1000V
ID25：38A
VDGR：1000V
RDS(on)：≤ 210mΩ
trr：≤ 300ns
TJM：150℃

Skontaktuj się Now

Opis Product

cechy produktu

Model No: YZPST-MS38N100

Marka: Yzpst

Miejsce Pochodzenia: Chiny

VDSS: 1000V

ID25: 38A

RDS(on): ≤ 210mΩ

Trr: ≤ 300ns

VDGR: 1000V

VGSS: ±30V

VGSM: ±40V

IDM: 120A

TJ: -55 ... +150℃

TJM: 150℃

Pakowanie i dostawa

Jednostki sprzedaży	:	Piece/Pieces
Typ pakietu	:	1. Opakowanie antyelektrostatyczne 2. Pudełko kartonowe 3. Braid
Pobieranie	:

Moduł mocy MOSFET YZPST-MS38N100



Opis Product

Power Mosfet

Tryb wzmocnienia kanału N.

Szybki wewnętrzny prostownik

VDSS = 1000 V.

ID25 = 38A

RDS (ON) ≤ 210 m Ω

TRR ≤ 300NS

Cechy

Międzynarodowy pakiet standardowy

Niska odporność na bramę wewnętrzną

Minibloc z izolacją azotku aluminiowego

Niska indukcyjność pakietu

Szybki wewnętrzny prostownik

Niski RDS (ON) i QG

Zalety

Wysoka gęstość mocy

Łatwy do zamontowania

Oszczędności przestrzeni

Aplikacje

Konwertery DC-DC

Ładowarki baterii

Zasilacze trybu przełącznika i zasilaczy w trybie rezonansowym

Kontrola silnika AC

Aplikacja przełączania wysokiej prędkości

YZPST-MS38N100 Power MOSFET

Symbol	Test Conditions	Maximum Ratings
VDSS	TJ = 25℃ to 150℃	1000	V

VDGR	TJ = 25℃ to 150℃, RGS = 1MΩ	1000	V
VGSS	Continuous	土30	V
VGSM	Transient	土40	V
ID25	TC = 25℃	38	A
IDM	TC = 25℃, Pulse Width Limited by TJM	120	A

I A	TC = 25℃	19	A
EAS	TC = 25℃	2	J
dv/dt	IS < IDM , VDD < VDSS , TJ < 150℃	20	V/ns
PD	T = 25℃	1000	W
TJ		-55 ... +150	℃
TJM		150	℃
TSTG		-55 ... +150	℃

VISOL	50/60 Hz, RMS, t = 1minute	2500	V~

	I ISOL £ 1mA, t = 1s	3000	V~

MD	Mounting Torque for Base Plate	1.5/13 1.3/11.5	Nm/lb.in Nm/Ib.in
	Terminal Connection Torque
Weight		30	g