YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Dom> Products> Urządzenia modułu półprzewodnikowego> Moduł IGBT> Wysoka zdolność zwarcia 10US 1200V moduł IGBT 450A
Wysoka zdolność zwarcia 10US 1200V moduł IGBT 450A
Wysoka zdolność zwarcia 10US 1200V moduł IGBT 450A
Wysoka zdolność zwarcia 10US 1200V moduł IGBT 450A
Wysoka zdolność zwarcia 10US 1200V moduł IGBT 450A
Wysoka zdolność zwarcia 10US 1200V moduł IGBT 450A

Wysoka zdolność zwarcia 10US 1200V moduł IGBT 450A

$1152-99 Piece/Pieces

$82≥100Piece/Pieces

Rodzaj płatności:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transport:Ocean,Air
Porta:SHANGHAI
cechy produktu

Model NoYZPST-450B120E53

MarkaYzpst

VCES1200V

IC450m

ICRM900m

VGES±20V

Ptot3000W

Pakowanie i dostawa
Jednostki sprzedaży : Piece/Pieces
Pobieranie :
Moduł IGBT YZPT-450B120E53
Opis Product

YZPST-450B120E53

Moduł IGBT
Aplikacje
Falownik na napęd silnikowy
Wzmacniacz napędu MC i DC
UPS (zasilacze nieprzerwane)
Soft przełączający spawanie

Fnaturns
Low VCE (SAT) z technologią SPT+
VCE (SAT) z dodatnim współczynnikiem temperatury
W tym szybkie i miękkie odzyskiwanie anty-równolegle FWD
Wysoka zdolność zwarcia (10us)
Niska struktura modułu indukcyjnego
1200V IGBT Module 450A

Absolute Maxmmum Ratmn


Parameter

Symbol

CondMtMons

Value

UnMt

Collector-Emitter Voltage

VCES

VGE=0V, IC =1mm, Tvj=25

1200

V

Continuous Collector Current

IC

Tc=100

450

m

Peak Collector Current

ICRM

ICRM =2IC

900

m

Gate-Emitter Voltage

VGES

Tvj=25

±20

V

Total Power Dissipation

(IGBT-inverter)

Ptot

Tc=25

Tvjmax=175

3000

W

IGBT CharakterMStMCS

Parameter

 

Symbol

 

CondMtMons

 

Value

 

UnMt

MMn.

Typ.

Max.

 

Gate-emitter Threshold Voltage

VGE(th)

VGE=VCE, IC =3mm,Tvj=25

5.0

6.2

7.0

V

 

Collector-Emitter Cut-off Current

 

ICES

VCE=1200V,VGE=0V, Tvj=25

 

 

1.0

mm

VCE=1200V,VGE=0V, Tvj=125

 

 

5.0

mm

Collector-Emitter Saturation Voltage

 

VCE(sat)

Ic=450m,VGE=15V, Tvj=25

 

1.85

 

V

Ic=450m,VGE=15V, Tvj=125

 

2.05

 

V

Input Capacitance

Cies

 

VCE=25V,VGE =0V,

f=1MHz, Tvj=25

 

31.8

 

nF

Output Capacitance

Coes

 

2.13

 

nF

Reverse Transfer Capacitance

Cres

 

1.48

 

nF

Internal Gate Resistance

Rgint

 

 

0.7

 

Ω

Turn-on Delay Time

td(on)

 

 

IC =450 m VCE = 600 V VGE = ±15V RG =3.3Ω

Tvj=25

 

320

 

ns

Rise Time

tr

 

165

 

ns

Turn-off Delay Time

td(off)

 

650

 

ns

Fall Time

tf

 

124

 

ns

Energy Dissipation During Turn-on

Time

Eon

 

35

 

mJ

Energy Dissipation During Turn-off

Time

Eoff

 

42

 

mJ

Turn-on Delay Time

td(on)

 

 

 

IC =450m VCE = 600 V VGE = ±15V RG =3.3Ω

Tvj=125

 

350

 

ns

Rise Time

tr

 

193

 

ns

Turn-off Delay Time

td(off)

 

720

 

ns

Fall Time

tf

 

156

 

ns

Energy Dissipation During Turn-on

Time

Eon

 

55

 

mJ

Energy Dissipation During Turn-off

Time

Eoff

 

64

 

mJ

 

SC Data

 

Isc

Tp≤10us,VGE=15V, Tvj=150,Vcc=600V,

VCEM≤1200V

 

 

2100

 

 

m

Ÿ Pakiet Wymiary

1200V IGBT Module




Dom> Products> Urządzenia modułu półprzewodnikowego> Moduł IGBT> Wysoka zdolność zwarcia 10US 1200V moduł IGBT 450A
苏ICP备05018286号-1
Wyślij zapytanie
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Wysłać