YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Dom> Products> Urządzenia modułu półprzewodnikowego> Moduł IGBT> Wysoka zdolność zwarcia 650V IGBT Moduł zasilania 200A
Wysoka zdolność zwarcia 650V IGBT Moduł zasilania 200A
Wysoka zdolność zwarcia 650V IGBT Moduł zasilania 200A
Wysoka zdolność zwarcia 650V IGBT Moduł zasilania 200A
Wysoka zdolność zwarcia 650V IGBT Moduł zasilania 200A
Wysoka zdolność zwarcia 650V IGBT Moduł zasilania 200A
Wysoka zdolność zwarcia 650V IGBT Moduł zasilania 200A

Wysoka zdolność zwarcia 650V IGBT Moduł zasilania 200A

$3310-99 Piece/Pieces

$25≥100Piece/Pieces

Rodzaj płatności:L/C,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transport:Ocean,Land
Porta:SHANGHAI
cechy produktu

Model NoYZPST-SKM195GB066D

MarkaYzpst

Miejsce PochodzeniaChiny

VCES650V

IC200A

ICRM400A

VGES±20V

Ptot695W

Pakowanie i dostawa
Jednostki sprzedaży : Piece/Pieces
Typ pakietu : 1. Opakowanie antyelektrostatyczne 2. Pudełko kartonowe 3. Braid
Przykład obrazu :
Pobieranie :
Moduł IGBT SKM195GB066D
Opis Product

Moduł zasilania IGBT Typ: YZPST-SKM195GB066D


Aplikacje

Falownik na napęd silnikowy

Wzmacniacz napędu Servo i DC

UPS (zasilacze nieprzerwane)

Miękki maszyna spawalnicza

Cechy

Low VCE (SAT) z technologią stoliń pola

VCE (SAT) z dodatnim współczynnikiem temperatury

W tym szybkie i miękkie odzyskiwanie anty-równolegle FWD

Wysoka zdolność zwarcia (10us)

Niska struktura modułu indukcyjnego

Maksymalna temperatura połączenia 175 ℃

650V IGBT Power Module 200A



Absolutny Maksymalny Oceny

Parameter

Symbol

Conditions

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

VCES

VGE=0V, IC =1mA, Tvj=25

650

V

Continuous Collector Current

IC

Tc=100

200

A

Peak Collector Current

ICRM

tp=1ms

400

A

Gate-Emitter Voltage

VGES

Tvj=25

±20

V

Total Power Dissipation

(IGBT-inverter)

Ptot

Tc=25

Tvjmax=175

695

W

Charakterystyka IGBT

Parameter Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.
Gate-Emitter Threshold Voltage VGE(th) VGE=VCE,  IC =3.2mA,Tvj=25 5.1 5.8 6.3 V
VCE=650V,VGE=0V, Tvj=25 1 mA
Collector-Emitter Cut-off Current ICES VCE=650V,VGE=0V, Tvj=125 5 mA
Collector-Emitter Ic=200A,VGE=15V, Tvj=25 1.45 1.95 V
Saturation Voltage VCE(sat) Ic=200A,VGE=15V, Tvj=125 1.65 V
Input Capacitance Cies VCE=25V,VGE =0V, 12.3 nF
Reverse Transfer Capacitance Cres f=1MHz, Tvj=25 0.37 nF
Internal Gate Resistance Rgint 1 Ω
Turn-on Delay Time td(on) 48 Ns
Rise Time tr IC =200 A 48 Ns
Turn-off Delay Ttime td(off) VCE =300 V 348 Ns
Fall Time tf VGE = ±15V 58 Ns
Energy Dissipation During Turn-on Time Eon RG = 3.6Ω 2.32 mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time Eoff Tvj=25 5.85 mJ
Turn-on Delay Time td(on) 48 Ns
Rise Time tr IC =200 A 48 Ns
Turn-off Delay Time td(off) VCE = 300V 364 Ns
Fall Time tf VGE = ±15V 102 Ns
Energy Dissipation During Turn-on Time Eon RG =3.6Ω 3.08 mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time Eoff Tvj=125 7.92 mJ
SC Data Isc Tp≤10us,VGE=15V,Tvj=150 , Vcc=300V,VCEM≤650V 1000 A

Charakterystyka diody

Parameter Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.
Diode DC Forward Current IF Tc=100 200 A
Diode Peak Forward Current IFRM 400 A
IF=200A,Tvj=25 1.55 1.95 V
Forward Voltage VF IF=200A,Tvj=125 1.5 V
Parameter Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.
Recovered Charge Qrr 8.05 uC
IF =200 A
VR=300V
Peak Reverse Recovery Current Irr -diF/dt =4200A/us 148 A
Reverse Recovery Energy Erec Tvj=25 1.94 mJ
Recovered Charge Qrr 16.9 uC
IF =200 A
VR=300V
Peak Reverse Recovery Current Irr -diF/dt =4200A/us 186 A
Reverse Recovery Energy Erec Tvj=125 3.75 mJ

Charakterystyka modułu T C = 25 ° C, chyba że określono inaczej

Parameter Symbol Conditions Value Unit
Min. Typ. Max.
Isolation voltage Visol t=1min,f=50Hz 2500 V
Maximum Junction Temperature Tjmax 150
Operating Junction Temperature Tvj op -40 125
Storage Temperature Tstg -40 125
per IGBT-inverter 0.19 K/W
Junction-to Case R θjc per Diode-inverter 0.31 K/W
Case to Sink R θcs Conductive grease applied 0.085 K/W
Module ElectrodesTorque Mt Recommended(M5) 2.5 5 N · m
Module-to-SinkTorque Ms Recommended(M6) 3 5 N · m
Weight of Module G 150 g

Pakiet Wymiary

YZPST-SKM195GB066D Package Dimensions



Dom> Products> Urządzenia modułu półprzewodnikowego> Moduł IGBT> Wysoka zdolność zwarcia 650V IGBT Moduł zasilania 200A
苏ICP备05018286号-1
Wyślij zapytanie
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Wysłać