YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Dom> Products> Urządzenia modułu półprzewodnikowego> Moduł IGBT> YZPST 1200V 150B120F23 IGBT Moduł zasilania
YZPST 1200V 150B120F23 IGBT Moduł zasilania
YZPST 1200V 150B120F23 IGBT Moduł zasilania
YZPST 1200V 150B120F23 IGBT Moduł zasilania
YZPST 1200V 150B120F23 IGBT Moduł zasilania
YZPST 1200V 150B120F23 IGBT Moduł zasilania
YZPST 1200V 150B120F23 IGBT Moduł zasilania
YZPST 1200V 150B120F23 IGBT Moduł zasilania

YZPST 1200V 150B120F23 IGBT Moduł zasilania

$31.510-99 Piece/Pieces

$23.5≥100Piece/Pieces

Rodzaj płatności:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transport:Ocean,Land
Porta:SHANGHAI
cechy produktu

Model NoYZPST-150B120F23

MarkaYzpst

Miejsce PochodzeniaChiny

VCES1200V

IC150A

ICRM300A

VGES±20V

Ptot968W

Pakowanie i dostawa
Jednostki sprzedaży : Piece/Pieces
Typ pakietu : 1. Opakowanie antyelektrostatyczne 2. Pudełko kartonowe 3. Braid
Pobieranie :
Moduł IGBT 1200V150A 150B120F23
Opis Product
Moduł zasilania IGBT YZPST-150B120F23
VCE = 1200 V IC = 150a
Aplikacje
Falownik na napęd silnikowy
Wzmacniacz napędu Servo i DC
UPS (zasilacze nieprzerwane)
Miękki maszyna spawalnicza
Cechy
Low VCE (SAT) z technologią stoliń pola
VCE (SAT) z dodatnim współczynnikiem temperatury
W tym szybkie i miękkie odzyskiwanie anty-równolegle FWD
Wysoka zdolność zwarcia (10us)
Niska struktura modułu indukcyjnego

Maksymalna temperatura połączenia 175 ℃

YZPST-150B120F23 IGBT Module


Absolutny Maksymalny Oceny

Parameter

Symbol

Conditions

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

VCES

VGE=0V, IC =1mA, Tvj=25

1200

V

Continuous Collector Current

IC

Tc=100

150

A

Peak Collector Current

ICRM

tp=1ms

300

A

Gate-Emitter Voltage

VGES

Tvj=25

±20

V

Total Power Dissipation

(IGBT-inverter)

Ptot

Tc=25

Tvjmax=175

968

W

Charakterystyka IGBT

Parameter Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.
Gate-Emitter Threshold Voltage VGE(th) VGE=VCE,  IC =4mA,Tvj=25 5.2 6 6.8 V
VCE=1200V,VGE=0V, Tvj=25 1 mA
Collector-Emitter Cut-off Current ICES VCE=1200V,VGE=0V, Tvj=125 5 mA
Collector-Emitter Ic=150A,VGE=15V, Tvj=25 1.8 2.1 V
Saturation Voltage VCE(sat) Ic=150A,VGE=15V, Tvj=125 2 V
Input Capacitance Cies 9.8 nF
Output Capacitance Coes VCE=25V,VGE =0V, 0.82 nF
Reverse Transfer Capacitance Cres f=1MHz, Tvj=25 0.48 nF
Internal Gate Resistance Rgint 2.5 Ω
Turn-on Delay Time td(on) 185 Ns
Rise Time tr IC =150 A 55 Ns
Turn-off Delay Ttime td(off) VCE = 600 V 360 Ns
Fall Time tf VGE = ±15V 115 Ns
Energy Dissipation During Turn-on Time Eon RG = 5.1Ω 15.4 mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time Eoff Tvj=25 11.6 mJ
Turn-on Delay Time td(on) 200 Ns
Rise Time tr IC =150 A 60 Ns
Turn-off Delay Time td(off) VCE = 600 V 420 Ns
Fall Time tf VGE = ±15V 120 Ns
Energy Dissipation During Turn-on Time Eon RG =5.1Ω 23.2 mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time Eoff Tvj=125 17 mJ
Tp≤10us,VGE=15V,
SC Data Isc Tvj=150,Vcc=600V, 500 A
VCEM≤1200V

Charakterystyka diody

Parameter Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.
Diode DC Forward Current IF Tc=100 150 A
Diode Peak Forward Current IFRM 300 A
IF=150A,Tvj=25 1.8 2.3 V
Forward Voltage VF IF=150A,Tvj=125 1.85 V
Parameter Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.
Recovered Charge Qrr 13.4 uC
IF =150 A
Peak Reverse Recovery Current Irr VR=600V 143 A
Reverse Recovery Time trr -diF/dt =2200A/us 160 ns
Reverse Recovery Energy Erec Tvj=25 9.1 mJ
Recovered Charge Qrr 26.1 uC
IF =150 A
Peak Reverse Recovery Current Irr VR=600V 178 A
Reverse Recovery Time trr -diF/dt =2200A/us 440 ns
Reverse Recovery Energy Erec Tvj=125 15.4 mJ

Charakterystyka modułu T C = 25 ° C, chyba że określono inaczej

Parameter Symbol Conditions Value Unit
Min. Typ. Max.
Isolation voltage Visol t=1min,f=50Hz 2500 V
Maximum Junction Temperature Tjmax 150
Operating Junction Temperature Tvjop -40 125
Storage Temperature Tstg -40 125
per IGBT-inverter 0.155 K/W
Junction-to Case R θjc per Diode-inverter 0.292 K/W
Case to Sink R θcs Conductive grease applied 0.05 K/W
Module ElectrodesTorque Mt Recommended(M5) 2.5 5 N·m
Module-to-SinkTorque Ms Recommended(M6) 3 5 N·m
Weight of Module G 150 g

Pakiet Wymiary

YZPST-150B120F23 Dimensions



Dom> Products> Urządzenia modułu półprzewodnikowego> Moduł IGBT> YZPST 1200V 150B120F23 IGBT Moduł zasilania
苏ICP备05018286号-1
Wyślij zapytanie
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Wysłać