YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Dom> Products> Urządzenia modułu półprzewodnikowego> Moduł tyrystora.> Moduł zgodny z ROHS 160A
Moduł zgodny z ROHS 160A
Moduł zgodny z ROHS 160A
Moduł zgodny z ROHS 160A
Moduł zgodny z ROHS 160A
Moduł zgodny z ROHS 160A
Moduł zgodny z ROHS 160A

Moduł zgodny z ROHS 160A

$16.510-199 Bag/Bags

$13.5≥200Bag/Bags

Rodzaj płatności:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transport:Ocean,Air
Porta:SHANGHAI
cechy produktu

Model NoYZPST-MCO150-16I01

MarkaYzpst

PodanieNie dotyczy, Wzmacniacz

Rodzaj Dostawyinny

Materiały ReferencyjneZdjęcie, arkusz danych, inny

Typ PrzesyłkiMontaż powierzchniowy

Metoda InstalacjiNie dotyczy

Funkcja FETNie dotyczy

KonfiguracjaNie dotyczy

VRRM1600V

VDRM1600V

VRSM1700V

IRRM8mA

IT(AV)160A

IT(RMS)251A

ITSM2300

Pakowanie i dostawa
Jednostki sprzedaży : Bag/Bags
Przykład obrazu :
YZPST-MCO150-16I01.
Opis Product


160A 1600V

Moduł tyrystorowy
Zgodny z RoHS

YZPST-MCO150-16I01



CECHY PRODUKTU
Płyta podstawowa: miedź
Chipsy tyrystorowe szklane
Niski prąd wycieku
Izolowano wewnętrznie DBC
Zaawansowane cykl mocy
APLIKACJE
Softstart Silnik AC Control
Kontrola temperatury
Kontrola mocy prądu przemiennego
Oświetlenie i kontrola temperatury
RoHS Compliant 160A thyristor module


A bs o l u te m a x i m u m r a t i ng s (tc = 25 ° C, chyba że określono inaczej)

Symbol Parameter Test Conditions Values Unit
VRRM Maximum Repetitive Reverse Voltage Tvj=125 1600 V
VDRM Maximum repetitive peak off-state voltage
VRSM Non-Repetitive Reverse Voltage Tvj=125 1700 V
VDSM Non-repetitive peak off-state voltage
IRRM Maximum Repetitive Reverse Current Tvj=125 8 A
IDRM Maximum repetitive peak off-state Current
IT(AV) Mean On-state Current TC=85 160
IT(RMS) RMS Current TC=85, sin180° 251 A
ITSM Non Repetitive Surge Peak On-state Current 10ms, Tj=25 2300
I2t For Fusing 10ms, Tj=25 125 A2S
VTM Peak on-state voltage ITM=160A 1.4 V
ITM=480A 1.8
dv/dt critical rate of rise of off-state voltage VD =2/3VDRM   Gate Open Tj=125 1000 V/us
IGT gate trigger current     max. 100 A
VGT gate trigger voltage     max. 1.3 V
IH gate trigger current 220 A
IL latching current 350 A
Viso A  50Hz   RMS    1min 2500 V
TJ Junction Temperature -40 to +125
TSTG Storage Temperature Range -40 to +125
RthJC Junction to Case Thermal Resistance(Per thyristor chip ) 0. 13  /W
mounting torque Module to Sink 1. 1-1.5 Nm
Terminal 1. 1-1.5

O Utlines

160A thyristor module









苏ICP备05018286号-1
Wyślij zapytanie
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Wysłać