MJD31C to krzemionowe tranzystory mocy NPN to-252

MJD31C to krzemionowe tranzystory mocy NPN to-252

Name: NPN Tranzystor dwubiegunowy MJD31C TO-252 NPN
Uploaded: 2023-11-17T06:57:02+08:00
Description: NPN Tranzystor dwubiegunowy MJD31C TO-252 NPN

$0.086000-19999 Piece/Pieces

$0.06≥20000Piece/Pieces

Rodzaj płatności:	L/C,T/T,Paypal
Incoterm:	FOB,CFR,CIF
transport:	Ocean,Land,Others
Porta:	SHANGHAI

Option:

IC:3A
VCEO:100V
ICM:5A
VEBO:5V
VCBO:100V
IB:1A

Skontaktuj się Now

Opis Product

cechy produktu

Model No: YZPST-MJD31C

Marka: Yzpst

Place Of Origin: China

VCBO: 100V

VCEO: 100V

VEBO: 5V

IC: 3A

ICM: 5A

IB: 1A

PTOT: 15W

Pakowanie i dostawa

Jednostki sprzedaży	:	Piece/Pieces
Typ pakietu	:	1. Opakowanie antyelektrostatyczne 2. Pudełko kartonowe 3. Braid
Pobieranie	:

NPN Tranzystor dwubiegunowy MJD31C TO-252 NPN



Opis Product

Krzemowe tranzystory mocy NPN

P/N: YZPST-MJD31C

Desrcription:

MJD31C to tranzystory mocy NPN krzemowych, zaprojektowane do zastosowań przełączających liniowe o średniej mocy.

Absolute Max I Mum Oceny

Symbol	Parameter	Value	Unit
VCBO	Collector-Base Voltage	100	V
VCEO	Collector-Emitter Voltage	100	V
VEBO	Emitter-Base Voltage	5	V
IC	Continuous Collector Current	3	A
ICM	Collector current-Pulse	5	A
IB	Base Current	1	A
PTOT	Total dissipation at Tcase=25 ℃	15	W
Tj	Junction Temperature	150	℃
Tstg	Storage Temperature Range	-55〜 150	℃

PARAMETRY ELEKTRYCZNE (Tc = 25 ° C, chyba że określono inaczej)

Symbol	Parameter	Test Condition	Value			Unit
Symbol	Parameter	Test Condition	Min	Type	Max	Unit
ICEO	Collector Cutoff Current	VCE= 60 V			0.3	mA
IEBO	Emitter Cutoff Current	VEB= 5 V			1	mA
VCEO（SUS）	Collector-Emitter Sustaining Voltage	IC= 30mA	100			V
VCEsat	Collector-Emitter Saturation Voltage	IC=3A IB=0.375A			1.2	V
VBE	Base-Emitter On Voltage	IC=3A ; VCE=4V			1.8	V
hFE- 1	DC current gain	IC= 1A ; VCE=4V	25
hFE-2	DC current gain	IC=3A ; VCE=4V	10		50
fT	Transiton frequency	IC=0.5A ; VCE= 10V	3			MHz