YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Dom> Products> Pakiet z plastiku półprzewodnikowy> Tranzystor krzemu> Technologia zatrzymywania pola 600 V IGBT 6A
Technologia zatrzymywania pola 600 V IGBT 6A
Technologia zatrzymywania pola 600 V IGBT 6A
Technologia zatrzymywania pola 600 V IGBT 6A
Technologia zatrzymywania pola 600 V IGBT 6A
Technologia zatrzymywania pola 600 V IGBT 6A

Technologia zatrzymywania pola 600 V IGBT 6A

$0.33100-999 Piece/Pieces

$0.28≥1000Piece/Pieces

Rodzaj płatności:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transport:Ocean,Air
Porta:Shanghai
cechy produktu

Model NoYZPST-6H60CX1G3

MarkaYZPST

Miejsce PochodzeniaChiny

Product NameHigh Speed Switching 600v 15a Igbt To-220f

VCES600v

VGES±20v

IC12a

ICM6a

IF18a

TJ-40 To +175℃

Pakowanie i dostawa
Jednostki sprzedaży : Piece/Pieces
Typ pakietu : 1. Opakowanie antyelektrostatyczne 2. Pudełko kartonowe 3. Plastikowe opakowanie ochronne
Pobieranie :
Opis Product


Technologia Field-Stop IGBT

YZPST-6H60CX1G3

Cechy

600V, 6A

V CE(sat)(typ.) =1.75V@V GE =15V, I C = 6A

Niskie Q g

Maksymalna temperatura złącza 175

Bezołowiowe platerowanie ołowiem; RoHS Zgodny

Aplikacje

Konwertery słoneczne

Nieprzerwana moc Dostarczać

Spawalniczy Konwertery

Częstotliwość przełączania średniego do wysokiego zakresu Konwertery

Kluczowe parametry wydajności i pakietu

Order codes

VCE

IC

VCEsat, Tvj=25

Tvjmax

Marking

Package

60H060CX1R3

650V

6A

1.75V

175

6H60CX1R3

TO263-2L

60H060CX1G3

650V

6A

1.75V

175

6H60CX1G3

TO252-2L

Absolutne maksymalne oceny

Symbol

Parameter

Value

Unit

VCES

Collector-Emitter Voltage

600

V

VGES

Gate-Emitter Voltage

±20

V

 

IC

Continuous Collector Current (TC=25)

12

A

Continuous Collector Current (TC=100)

6

A

ICM

Pulsed Collector Current (Note 1)

18

A

 

PD

Maximum Power Dissipation (TC=25)

89

W

Maximum Power Dissipation (TC=100)

44

W

TJ

Operating Junction Temperature Range

-40 to 175

TSTG

Storage Temperature Range

-55 to 150

Informacje o pakiecie
YZPST-6H60CX1G3-1.jpgYZPST-6H60CX1G3-2.jpg









Dom> Products> Pakiet z plastiku półprzewodnikowy> Tranzystor krzemu> Technologia zatrzymywania pola 600 V IGBT 6A
苏ICP备05018286号-1
Wyślij zapytanie
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Wysłać