YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Dom> Products> Pakiet z plastiku półprzewodnikowy> Tranzystor krzemu> Wysoka częstotliwość tranzystorów BFR93A Tranzystory w obudowie z tworzywa sztucznego
Wysoka częstotliwość tranzystorów BFR93A Tranzystory w obudowie z tworzywa sztucznego
Wysoka częstotliwość tranzystorów BFR93A Tranzystory w obudowie z tworzywa sztucznego
Wysoka częstotliwość tranzystorów BFR93A Tranzystory w obudowie z tworzywa sztucznego
Wysoka częstotliwość tranzystorów BFR93A Tranzystory w obudowie z tworzywa sztucznego
Wysoka częstotliwość tranzystorów BFR93A Tranzystory w obudowie z tworzywa sztucznego
Wysoka częstotliwość tranzystorów BFR93A Tranzystory w obudowie z tworzywa sztucznego

Wysoka częstotliwość tranzystorów BFR93A Tranzystory w obudowie z tworzywa sztucznego

$0.0351000-9999 Piece/Pieces

$0.023≥10000Piece/Pieces

Rodzaj płatności:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Min. Zamówienie:1000 Piece/Pieces
transport:Ocean,Air
Porta:Shanghai
cechy produktu

Model NoYZPST-BFR93A

MarkaYZPST

Pakowanie i dostawa
Jednostki sprzedaży : Piece/Pieces
Typ pakietu : 1. Opakowanie antyelektrostatyczne 2. Pudełko kartonowe 3. Plastikowe opakowanie ochronne
Pobieranie :
Opis Product

Wysoka częstotliwość tranzystorów BFR93A Tranzystory w obudowie z tworzywa sztucznego

Tranzystory z obudową z tworzywa sztucznego

YZPST-BFR93A

funkcje

1. Wysoka częstotliwość przejściowa . (Typ. F T = 1,5 GHz)

2. Mały rbb`Cc i wysoki zysk. (Typ. 4ps)

3. Mały NF.

4. Oświadczamy, że materiał jest zgodny z RoHS wymagania

MAKSYMALNE OCENY (T A = 25 ° C, o ile nie zaznaczono inaczej)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-Base Voltage

VCBO

20

V

Collector-Emitter Voltage

VCEO

11

V

Emitter-base voltage

VEBO

3

V

Collector Current

IC

50

mA

Collector power dissipation

PC

0.2

W

Junction temperature

Tj

150

°C

Storage temperature

Tstg

-55~+150

°C

CHARAKTERYSTYKA ELEKTRYCZNA ( T A = 25 ° C )

Parameter

Symbol

Min.

Typ

Max.

Unit

Conditions

Collector-base breakdown voltage

BVCBO

20

-

-

V

IC=10mA

Collector-emitter breakdown voltage

BVCEO

11

-

-

V

IC=1mA

Emitter-base breakdown voltage

BVEBO

3

-

-

V

IE=10mA

Collector cutoff current

ICBO

-

-

0.5

mA

VCB=10V

Emitter cutoff current

IEBO

-

-

0.5

mA

VEB=2V

Collector-emitter saturation voltage

VCE(sat)

-

-

0.5

V

IC/IB=10mA/5mA

DC current transfer ratio

hFE

56

-

120

-

VCE/IC=10V/5mA

Transition frequency

fT

1.4

3.2

-

GHz

VCE=10V, IE=-10mA, f=500MHz

Output capacitance

Cob

-

0.8

1.5

pF

VCB=10V, IE=0A, f=1MHz

Collector-base time constant

rbb`Cc

-

4

12

ps

VCB=10V, IC=10mA, f=31.8MHz

Noise factor

NF

-

3.5

-

dB

VCE=6V, IC=2mA, f=500MHz,Rg=50W







Dom> Products> Pakiet z plastiku półprzewodnikowy> Tranzystor krzemu> Wysoka częstotliwość tranzystorów BFR93A Tranzystory w obudowie z tworzywa sztucznego
苏ICP备05018286号-1
Wyślij zapytanie
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Wysłać