Szybkie przełączanie 600V 15A IGBT TO-220F

Szybkie przełączanie 600V 15A IGBT TO-220F

$0.68100-999 Piece/Pieces

$0.48≥1000Piece/Pieces

Rodzaj płatności:	L/C,T/T,Paypal
Incoterm:	FOB,CFR,CIF
transport:	Ocean,Air
Porta:	Shanghai

Skontaktuj się Now

Opis Product

cechy produktu

Pakowanie i dostawa

Opis Product

cechy produktu

Model No: YZPST-G15T60FS

Marka: YZPST

Miejsce Pochodzenia: Chiny

Product Name: High Speed Switching 600v 15a Igbt To-220f

VCES: 600v

VGES: ±20v

IC: 14a

ICM: 45a

IF: 8a

IFM: 45a

TJ: -55 To +150℃

Pakowanie i dostawa

Jednostki sprzedaży	:	Piece/Pieces
Typ pakietu	:	1. Opakowanie antyelektrostatyczne 2. Pudełko kartonowe 3. Plastikowe opakowanie ochronne
Pobieranie	:

Opis Product

Cechy

600V,15A

V CE(s.)(typ.) =1.8V@V GE =15V,I C =15A

Wysoka prędkość przełączanie

Wyższy system efektywność

Miękkie wyłączanie prądu przebiegi

Kwadrat RBSOA

Ogólny opis

Tranowe tranzystory IGBT YZPST oferują niższe straty i wyższą wydajność energetyczną w zastosowaniach takich jak IH (nagrzewanie indukcyjne), UPS, ogólny falownik i inne aplikacje z miękkim przełączaniem.

Absolutne maksymalne oceny

Symbol	Parameter	Value	Units
VCES	Collector-Emitter Voltage	600	V
VGES	Gate-Emitter Voltage	+ 20	V
IC	Continuous Collector Current ( TC=25 ℃)	14	A
IC	Continuous Collector Current ( TC=100℃)	8	A
ICM	Pulsed Collector Current (Note 1)	45	A
IF	Diode Continuous Forward Current ( TC=100 ℃)	8	A
IFM	Diode Maximum Forward Current (Note 1)	45	A
tsc	Short Circuit Withstand Time	10	us
PD	Maximum Power Dissipation ( TC=25 ℃)	28	W
PD	Maximum Power Dissipation ( TC=100℃)	11	W
TJ	Operating Junction Temperature Range	-55 to +150	℃
TSTG	Storage Temperature Range	-55 to +150	℃

Charakterystyka termiczna

Symbol	Parameter	Max.	Units
Rth j-c	Thermal Resistance, Junction to case for IGBT	4.4	℃/ W
Rth j-c	Thermal Resistance, Junction to case for Diode	5.2	℃/ W
Rth j-a	Thermal Resistance, Junction to Ambient	65	℃/ W