YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Dom> Products> Urządzenia modułu półprzewodnikowego> Moduł tyrystora.> Thyristor z bramą wzmacniającą 1600 V THYRISTOR MODUŁ 119A
Thyristor z bramą wzmacniającą 1600 V THYRISTOR MODUŁ 119A
Thyristor z bramą wzmacniającą 1600 V THYRISTOR MODUŁ 119A
Thyristor z bramą wzmacniającą 1600 V THYRISTOR MODUŁ 119A
Thyristor z bramą wzmacniającą 1600 V THYRISTOR MODUŁ 119A
Thyristor z bramą wzmacniającą 1600 V THYRISTOR MODUŁ 119A
Thyristor z bramą wzmacniającą 1600 V THYRISTOR MODUŁ 119A
Thyristor z bramą wzmacniającą 1600 V THYRISTOR MODUŁ 119A

Thyristor z bramą wzmacniającą 1600 V THYRISTOR MODUŁ 119A

$11.150-999 Piece/Pieces

$8.1≥1000Piece/Pieces

Rodzaj płatności:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transport:Ocean,Land
Porta:SHANGHAI
cechy produktu

Model NoYZPST-SKKT107-16E

MarkaYzpst

Miejsce PochodzeniaChiny

VDRM1600V

VRRM1600V

VRSM1700V

IT(AV)119A

IRMS190A

ITSM2250A

I2t25.3KA2s

Pakowanie i dostawa
Jednostki sprzedaży : Piece/Pieces
Typ pakietu : 1. Opakowanie antyelektrostatyczne 2. Pudełko kartonowe 3. Braid
Przykład obrazu :
Pobieranie :
Moduł Thyristor SKKT107-16E
Opis Product

Moduły tyrystorowe P/N: YZPST-SKKT107/16E

Thyristor z bramą wzmacniającą 1600 V THYRISTOR MODUŁ 119A

Cechy
Przenoszenie ciepła przez aluminiową azotek ceramiczną izolowaną metalową płytę podstawową
Styki ciśnienia metali szlachetnych dla wysokiej niezawodności
Tyrystor z bramą wzmacniającą
typowe aplikacje
Kontrola silnika DC
Startery silnika AC
Kontrola temperatury

Profesjonalne ściemnianie światła

VDRM

VRRM

VRSM

1600V

1600V

1700V

YZPST-SKKT107-16E-1 Thyristor Module

Symbol Conditions Values Units
IT(AV) sin. 180; TC=85°C 119 A
IRMS 190
ITSM Tvj=25°C; 10ms 2250 A
I2t Tvj=25°C; 8.3…10ms 25.3 KA2s
VT Tvj=25°C; IT=300A max. 1.75 V
IDD Tvj=125°C; VRD=VRRM; VDD=VDRM max. 20 mA
IRD
tgd Tvj=25°C; IG=1A; diG/dt=1A/μs; VD=2/3VDRM 1 μs
tgr 2
(di/dt)cr Tvj=125°C max. 140 A/μs
(dv/dt)cr Tvj=125°C max. 1000 V/μs
tq Tvj=125°C 200 μs
IH Tvj=25°C; typ. /max. 250 mA
IL Tvj=25°C; RG=33Ω; typ. /max. 600 mA
VGT Tvj=25°C; d.c. min.1.0 V
IGT Tvj=25°C; d.c. min. 35 mA
VGD Tvj=125°C; d.c. max. 0.25 V
IGD Tvj=125°C; d.c. max.4 mA
Rth(j-c) per thyristor /per module 0.19 K/W
Rth(c-s) per thyristor /per module 0.1 K/W
Tvj -40…+130 °C
Tstg -40…+130 °C
Visol a.c. 50Hz; r.m.s.; 1s/1min. 3600/3000 V
YZPST-SKKT107-16E


Dom> Products> Urządzenia modułu półprzewodnikowego> Moduł tyrystora.> Thyristor z bramą wzmacniającą 1600 V THYRISTOR MODUŁ 119A
苏ICP备05018286号-1
Wyślij zapytanie
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Wysłać