Moduł sterujący temperaturą moduł tyrystorowy dc dc moduł inteligentny

Moduł sterujący temperaturą moduł tyrystorowy dc dc moduł inteligentny

Pobierz najnowszą cenę

Rodzaj płatności:	L/C,T/T,Paypal
Incoterm:	FOB,CFR,CIF
transport:	Ocean,Air
Porta:	SHANGHAI

Skontaktuj się Now

Opis Product

cechy produktu

Pakowanie i dostawa

Opis Product

cechy produktu

Model No: YZPST-MTC250A1600V-1

Marka: YZPST

Pakowanie i dostawa

Typ pakietu

1. Opakowanie antyelektrostatyczne 2. Karton 3. Plastikowe opakowanie ochronne

Opis Product

Podwójny moduł tyrystorowy

YZPST-MTC250A1600V-1

Moduł przetwarzany jest zgodnie z potrzebami klientów. Może być używany do kontroli temperatury, sterowania silnikiem DC i softstartów silnika AC. Moduł nadal ma wiele funkcji, takich jak brama wzmacniająca w tyrystorze, styki dociskowe z metalu szlachetnego zapewniające wysoką niezawodność, a także, co nie mniej ważne, przenoszenie ciepła przez izolowaną metalową płytkę podstawową z azotku glinu.

Podwójne moduły tyrystorowe Sterowanie temperaturą moduł tyrystorowy moduł tyrystorowy dc smart

Cechy • Przenikanie ciepła przez izolowaną metalową płytę podstawową z azotku aluminium • Wysokogatunkowe styki metali szlachetnych zapewniają wysoką niezawodność

• Tyrystor z bramą wzmacniającą

TYP: MTC250A-1600V Typowe zastosowania • Sterowanie silnikiem DC • Softstarty silnika AC • Regulacja temperatury • Profesjonalne przyciemnianie

Maksymalna ocena

Symbol	Condition	Ratings	Unit
I_T(AV)	Single phase,half wave,85° conduction	250	A
I_TRMS	Single phase,half wave,35° conduction	566	A
I_TSM	T_j=125℃	8000	A
I²t	T_j=125℃	320	kA²S
V_DRM/V_RRM		1800/1800	V
di/dt	non-repetitive	250	A/us
V_iso	A.C.1minute	3000	V
T_j		-40 ~ + 125	℃
T_stg		-40 ~ + 125	℃
W		-	g

Parametry elektryczne

Symbol	Condition	Ratings	Unit
I_DRM /I_RRM	AtV_DRM,Single phase,half wave,T_j=125℃	85	mA
V_TM	On-State Current 750A,T_j=25℃	1.4	V
V_T(TO)	T_j=125℃	0.925	V
t_gd	T_j=25℃	1	us
t_q	T_j=125℃	50-150	us
I_GT/V_GT	T_j=25℃	200 / 3	mA/V
V_GD	V_D=67%V_DRM , T_j=125℃	0.25	V
DV/DT	V_D=67%V_DRM	1000	V/us
I_H	T_j=25℃	150	mA
I_L	T_j=25℃	300	mA
R_th(j-c)	Per Module	0.07	K/W