YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Dom> Products> Pakiet z plastiku półprzewodnikowy> Prostownik kontrolowany silikonem (SCR)> Pojemność wysokiego napięcia S3530 35A SCR TO220F
Pojemność wysokiego napięcia S3530 35A SCR TO220F
Pojemność wysokiego napięcia S3530 35A SCR TO220F
Pojemność wysokiego napięcia S3530 35A SCR TO220F
Pojemność wysokiego napięcia S3530 35A SCR TO220F
Pojemność wysokiego napięcia S3530 35A SCR TO220F
Pojemność wysokiego napięcia S3530 35A SCR TO220F

Pojemność wysokiego napięcia S3530 35A SCR TO220F

$1.2500-1999 Piece/Pieces

$0.6≥2000Piece/Pieces

Rodzaj płatności:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transport:Ocean,Land,Others
Porta:SHANGHAI
cechy produktu

Model NoYZPST-S3530

MarkaYzpst

Miejsce PochodzeniaChiny

Tstg-40 ~ 150℃

Tj-40~ 125℃

VDRM1600V

VRRM1600V

VDSMVDRM +100V

VRSMVRRM +100V

IT(RMS)35A

ITSM300A

IT(AV)23A

Pakowanie i dostawa
Jednostki sprzedaży : Piece/Pieces
Typ pakietu : 1. Opakowanie antyelektrostatyczne 2. Pudełko kartonowe 3. Braid
Pobieranie :
SCR S3530 TO-220F
Opis Product
P/N: YZPST-S3530 35A SCRS
CECHY
Wysoka wydajność cykli termicznych
Pojemność wysokiego napięcia

Bardzo wysoka zdolność wzrostu prądu

APLIKACJE

Linia naprawiająca 50/60 Hz
Softstart Silnik AC
Kontrola silnika DC
Konwerter napięcia
Kontrola mocy prądu przemiennego

Oświetlenie i kontrola temperatury

YZPST-S3530

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junction  temperature range

Tstg

-40 ~ 150

Operating junction temperature range

Tj

-40~ 125

Repetitive peak off-state voltage (T =25℃)

VDRM

1600

V

Repetitive peak reverse voltage (T =25℃)

VRRM

1600

V

Non repetitive surge peak Off-state voltage

VDSM

VDRM +100

V

Non repetitive peak reverse voltage

VRSM

VRRM +100

V

RMS on-state current (T = 110℃)

IT(RMS)

35

A

Non repetitive surge peak on-state current

(180° conduction angle, F=50Hz)

ITSM

300

A

Average on-state current (180° conduction angle)

IT(AV)

23

A

I2t value for fusing (tp= 10ms)

I2t

450

A2 S

Critical rate of rise of on-state current

(I =2×IGT, tr ≤ 100 ns)

dI/dt

50

A/μS

Peak gate current

IGM

4

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

1

W

Thermal Resistances

Symbol

Parameter

Value

Unit

Rth(j-c)

Junction to case (DC)

2.5

℃/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T=25℃unless otherwise specified)

Symbol

Test Condition

 

Value

Unit

IGT

V = 12V R = 140Ω

MAX.

30

mA

VGT

MAX.

1.3

V

VGD

VD=VDRM Tj= 125

MIN.

0.2

V

IL

IG= 1.2IGT

MAX.

160

mA

IH

IT=500mA

MAX.

120

mA

dV/dt

VD=2/3VDRM Gate Open  Tj=125℃

MIN.

500

V/μs

STATIC CHARACTERISTICS
Symbol Parameter Value(MAX.) Unit
VTM ITM =35A tp=380μs Tj =25℃ 1.5 V
IDRM VD=VDRM VR=VRRM Tj =25℃ 20 μA
IRRM Tj =125℃ 4 mA

Dane mechaniczne pakietu TO-220F

TO-220F Package Mechanical Data

Dom> Products> Pakiet z plastiku półprzewodnikowy> Prostownik kontrolowany silikonem (SCR)> Pojemność wysokiego napięcia S3530 35A SCR TO220F
苏ICP备05018286号-1
Wyślij zapytanie
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Wysłać