YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Dom> Products> Składniki elektroniczne rezystor> Metalowe rezystory folii> MOR 2WSS Rezystor z tlenku metalu
MOR 2WSS Rezystor z tlenku metalu
MOR 2WSS Rezystor z tlenku metalu
MOR 2WSS Rezystor z tlenku metalu
MOR 2WSS Rezystor z tlenku metalu

MOR 2WSS Rezystor z tlenku metalu

Pobierz najnowszą cenę
Rodzaj płatności:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transport:Ocean,Air
Porta:SHANGHAI
cechy produktu

Model NoYZPST-MOR-2WSS-3K3-J

MarkaYZPST

Opis Product


Rezystor z tlenku metalu

YZPST-MOR-2WSS-3K3-J


Ułożone rezystory są umieszczane w stałej temp. Wilgotność piekarnika w temp. 40 ± 2 ° C i wilgotności 90 ~ 95%, następnie moc znamionowa jest stosowana przez 1,5 godziny i odcinana na 0,5 godziny. Podobny cykl będzie powtarzany łącznie przez 500+24 -0 godzin (łącznie z godziną odcięcia). Następnie usuń napięcie, wyjmując rezystory z piekarnika i pozostawiając je w temp. pokojowej. Na jedną godzinę. Szybkość zmiany wartości rezystancji między badaniem przed i po badaniu powinna mieścić się w granicach ±5%. Nie powinno być również żadnych dowodów znaczących zmian w wyglądzie, a oznakowanie nie powinno być nieczytelne.


Metal Oxide Film Resistor

Metal Oxide Film ResistorMetal Oxide Film Resistor

 

TYPE

 

L    4

 

D t

 

H:t:3


d:t0.1

 

ResistanceRange

 

MaxWorking

 

RSU

 

1W

 

6.8

2.6:t0.5

 

28

 

0.6

 

0.220-1MO

 

350V

 

2W

 

9

 

3.5

 

28

 

0.8

 

220-1MO

 

500V

 

3W

 

15

 

5

 

28

 

0.8

 

O.220-1MO

 

750V

Metal Oxide Film Resistor

Steps

Temperature(k)

Time (minutes)

1st step

-55 ± 3

30

2nd step

Room temp.

3

3rd step

155 ± 3

30

4th step

Room temp.

3

Metal Oxide Film Resistor

7.6 Odporność na wilgoć Żywotność obciążenia:

Ułożone w szyku rezystory są umieszczane w piecu o stałej temp./wilgotności w temp. 40 ± 2°C a wilgotność 90 -95% mocy t kura oceniane jest stosowany przez 1,5 godziny, a odcięte przez 0,5 godziny. Podobny cykl będzie powtarzany łącznie przez 500 +24 -0 godzin (łącznie z godziną odcięcia). Następnie usuń napięcie, wyjmując rezystory z piekarnika i pozostawiając je w temp. pokojowej. Na jedną godzinę. Szybkość zmiany wartości rezystancji między badaniem przed i po badaniu powinna wynosić ± 5%. Nie powinno być również dowodów na znaczące zmiany w wyglądzie, a oznaczenia nie mogą być nieczytelne.

7.7 Zdolność lutowania:

Przewody z topnikiem są zanurzane w stopionym lutowiu o temperaturze 235 ± 5°C przez 2 sekundy ponad 95% obwodu przewodów powinno być pokryte lutem.

7.8 Odporność na ciepło lutowania:

Dwa przewody są razem zanurzane w stopionym lutowiu o temperaturze 270 ± 5°C na 10 ± 1s lub 350 ± 10°C przez 3,5 ± 0,5 sekundy, następnie wyjąć rezystory i pozostawić je w temp. pokojowej. Na jedną godzinę. Szybkość zmiany wartości rezystancji między badaniem przed i po badaniu powinna wynosić ± 1 % .

7.9 Niepalność:

Rezystory są przykładane mocą 16 razy moc znamionową przez 5 min. oraz

nie dostanie płomienia.

Metal Oxide Film ResistorMetal Oxide Film Resistor


苏ICP备05018286号-1
Wyślij zapytanie
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Wysłać