Wysoka zdolność dV / dt Tyrystor wysokiej mocy 6500V

Wysoka zdolność dV / dt Tyrystor wysokiej mocy 6500V

$1501-99 Piece/Pieces

$95≥100Piece/Pieces

Rodzaj płatności:	L/C,T/T,Paypal
Incoterm:	FOB,CFR,CIF
Min. Zamówienie:	1 Piece/Pieces
transport:	Ocean,Air
Porta:	SHANGHAI

Skontaktuj się Now

Opis Product

cechy produktu

Pakowanie i dostawa

Opis Product

cechy produktu

Model No: YZPST-KP894A-6500V

Marka: YZPST

Pakowanie i dostawa

Jednostki sprzedaży	:	Piece/Pieces
Typ pakietu	:	1. Opakowanie antyelektrostatyczne 2. Pudełko kartonowe 3. Plastikowe opakowanie ochronne

Opis Product

TYRYSTOR WYSOKIEJ MOCY DO ZASTOSOWAŃ KONTROLI FAZY

YZPST-KP894A-6500V

Opis produktu

Cechy:

. Wszystkie rozproszone struktury

. Konfiguracja Interdigitated Amplifying Gate v

. Gwarantowany maksymalny czas wyłączenia

. Wysoka zdolność dV / dt

. Urządzenie montowane pod ciśnieniem

CHARAKTERYSTYKA ELEKTRYCZNA I OCENY

Blokowanie - stan wyłączony

VRRM (1)	VDRM (1)	VRSM (1)
6500	6500	6600

V _RRM = powtarzalne szczytowe napięcie wsteczne

V _DRM = powtarzalne napięcie szczytowe wyłączone

V _RSM = nie powtarzalne szczytowe napięcie wsteczne (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

I_{RRM /}I_DRM

20 mA

200 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

Uwagi:

Wszystkie oceny podano dla Tj = 25 ^o C, chyba że zaznaczono inaczej.

(1) Wszystkie wartości napięcia są określone dla zastosowanego

Sinusoidalny kształt fali 50 Hz / 60 Hz w

zakres temperatur od -40 do +125 ^o C.

(2) 10 ms. max. szerokość impulsu

(3) Maksymalna wartość dla Tj = 125 ^o C.

(4) Minimalna wartość kształtu fali liniowej i wykładniczej do 80% znamionowego V _DRM . Otwarcie bramy. Tj = 125 ^o C.

(5) Wartość niepowtarzalna.

(6) Wartość di / dt ustala się zgodnie ze standardem EIA / NIMA RS-397, sekcja 5-2-2-6. Wartość określona będzie oprócz tego otrzymuje się z obwodu ubber, zawierający 0,2 M K i 20 ohmsresistance kondensatora równolegle z thristor badanego.

Uwagi:

Wszystkie oceny podano dla Tj = 25 ^o C, chyba że zaznaczono inaczej.

(1) Wszystkie wartości napięcia są określone dla zastosowanego

Sinusoidalny kształt fali 50 Hz / 60 Hz w

zakres temperatur od -40 do +125 ^o C.

(2) 10 ms. max. szerokość impulsu

(3) Maksymalna wartość dla Tj = 125 ^o C.

(4) Minimalna wartość kształtu fali liniowej i wykładniczej do 80% znamionowego V _DRM . Otwarcie bramy. Tj = 125 ^o C.

(5) Wartość niepowtarzalna.

Prowadzenie - stan włączony

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Max. average value of on-state current	I_T(AV)_M		894		A	Sinewave,180^o conduction,T_c=60^oC
RMS value of on-state current	I_T₍_RMS_)m		1404		A	Nominal value
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current	I_TSM		- 12		kA kA	8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC
I square t	I²t		0.72x10⁶		A²s	8.3 msec
Latching current	I_L		3000		mA	V_D = 24 V; R_L= 12 ohms
Holding current	I_H		300		mA	V_{D =} 24 V; I = 2.5 A
Peak on-state voltage	V_TM		2.4		V	I_TM = 1000 A ,T_j = 25 ^oC
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		-		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V, non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current (6)	di/dt		200		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V