YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Dom> Products> Urządzenia modułu półprzewodnikowego> Moduł tyrystora.> 1000A Moduł przeciwrównoległego SCR-KPX1000A-1600V
1000A Moduł przeciwrównoległego SCR-KPX1000A-1600V
1000A Moduł przeciwrównoległego SCR-KPX1000A-1600V
1000A Moduł przeciwrównoległego SCR-KPX1000A-1600V
1000A Moduł przeciwrównoległego SCR-KPX1000A-1600V
1000A Moduł przeciwrównoległego SCR-KPX1000A-1600V

1000A Moduł przeciwrównoległego SCR-KPX1000A-1600V

$2951-19 Piece/Pieces

$262≥20Piece/Pieces

Rodzaj płatności:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transport:Ocean,Air
Porta:SHANGHAI
cechy produktu

Model NoYZPST-KPX1000A-1600V

MarkaYzpst

Miejsce PochodzeniaChiny

VRRM1600V

VDRM1600V

VRSM1700V

DV/dt1000 V/sec

IT(AV)1000A

ITRMSM1570A

Pakowanie i dostawa
Jednostki sprzedaży : Piece/Pieces
Pobieranie :
Ani równoległe montaż modułu SCR
Opis Product

Zespół modułu SCR-równolegle SCR-KPX1000A-1600V


Cechy:

Cały rozproszony projekt

Wysokie możliwości obecne

Wysokie możliwości prądu przypływu

Wysokie napięcia prędkości

Wysoki D v /dt

Brama dynamiczna prądu o niskiej bramie

Niska impedancja termiczna

Kompaktowy rozmiar i niewielka waga

APLIKACJA

Dyski o dużej mocy

Kontrola silnika DC

Zasilacze wysokiego napięcia


Blokowanie - poza stanem

VRRM (1) VDRM (1) VRSM (1)
1600 1600 1700


VRRM = powtarzające się szczytowe napięcie odwrotne

VDRM = powtarzające się napięcie stanu poza szczytem

VRSM = nie powtarzalne szczytowe napięcie odwrotne (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

10 mA

100 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec


Prowadzenie - w stanie

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)

 

1000

 

A

Sinewave,180o conduction,Tc=95oC

RConducting - on state

MS value of on-state current

ITRMSM

 

1570

 

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

-

   

30

 

kA

 

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

4500x103

 

A2s

10 msec

Treshold voltage

VT(T0)

 

0.928

 

V

 

Slope resistance

rT

 

0.189

 

 

Latching current

IL

 

2000

 

mA

VD = 12 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

500

 

mA

VD = 12 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

1.75

 

V

ITM =3000 A(MAX); Tj =1 25 oC

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

 

200

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

 

-

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

Bramkowanie

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

30

 

W

 

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

4

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

-

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

300

 

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

 

Gate voltage required to trigger all units

 

 

VGT

 

3

 

V

 

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

 

Peak negative voltage

VRGM

 

5

 

V

1000A ANTI-PARALLEL SCR module ASSEMBLY-KPX1000A-1600V











Dom> Products> Urządzenia modułu półprzewodnikowego> Moduł tyrystora.> 1000A Moduł przeciwrównoległego SCR-KPX1000A-1600V
苏ICP备05018286号-1
Wyślij zapytanie
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Wysłać