Proces pasywacji szklanej stołowej TO-247 SCR 1200V
$0.751000-9999 Piece/Pieces
$0.55≥10000Piece/Pieces
Rodzaj płatności: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
transport: | Ocean,Land,Air |
Porta: | SHANGHAI |
$0.751000-9999 Piece/Pieces
$0.55≥10000Piece/Pieces
Rodzaj płatności: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
transport: | Ocean,Land,Air |
Porta: | SHANGHAI |
Model No: YZPST-40TPS12
Marka: Yzpst
Miejsce Pochodzenia: Chiny
IT (RMS): 40A
VDRM / VRRM: 1200V
IGT: ≤35mA
ITSM: 460A
IGM: 4A
PGM: 5W
PG(AV): 1W
Jednostki sprzedaży | : | Piece/Pieces |
Typ pakietu | : | 1. Opakowanie antyelektrostatyczne 2. Pudełko kartonowe 3. Opakowanie ochronne z tworzywa sztucznego |
Przykład obrazu | : | |
Pobieranie | : |
SCR YZPST-40TPS12
Cechy produktu
Proces pasywacji szklanej stołowej,
Metal elektrody tylnej (anoda): Ti-ni-Ag
Pozytywna (brama, anoda) metal elektrody: Al
Główne celePrzełączający przełącznik prądu na przemian,
AC DC Power Converter,
Kontrola ogrzewania elektrycznego
Kontrola prędkości silnika
PakietTO-247
Mainfeature (tj = 25 ℃)
Symbol |
Value |
Unit |
IT (RMS) |
40 |
A |
VDRM / VRRM |
1200 |
V |
IGT |
≤35 |
mA |
Absolute r ( wartości ograniczające ) _
Symbol |
Parameter |
Value |
Unit |
IT (RMS) |
RMS on-state current (180°conduction angle) |
40 |
A |
ITSM
|
Non repetitive surge peak on-state Current (tp= 10ms) |
460 |
A |
IGM |
Peak gate current(tp=20us) |
4 |
A |
PGM |
Peak gate power |
5 |
W |
PG(AV) |
Average gate power |
1 |
W |
Tstg Tj |
Storage temperature Operating junction temperature |
-40--+ 150 -40--+ 125 |
℃ |
Oporność termai s
Symbol |
Parameter |
|
Value |
Unit |
Rth (j-c) |
Junction to case |
TO-247 |
0.95 |
℃/W |
Charakterystyka elektryczna _Tj = 25 ℃ , chyba że zaznaczono inaczej
Symbol |
Test Conditions |
Value |
Unit |
|||
Min |
Type |
Max |
||||
IGT |
VD= 12V, RL=33 Ω |
---- |
----- |
35 |
mA |
|
VGT |
VD= 12V, RL=33 Ω |
----- |
----- |
1.5 |
V |
|
VGD |
VD=VDRM, RL=3.3KΩ, RGK= 1KΩ,Tj=125℃ |
0.2 |
----- |
----- |
V |
|
H |
IT=500mA |
----- |
----- |
75 |
mA |
|
L |
IG= 1.2IGT |
----- |
----- |
150 |
mA |
|
dV/dt |
VD=67%VDRM, GateOpen, Tj=110℃ |
1000 |
----- |
----- |
v/ μs |
|
VTM |
IT=80A,tp=380 μs |
----- |
----- |
1.6 |
V |
|
dI/dt |
IG=2IGT |
50 |
----- |
----- |
A/ μs |
|
I2T |
Tp= 10ms |
----- |
----- |
1060 |
A2 S |
|
IDRM |
VD=VDRM |
Tj=25℃ |
----- |
----- |
10 |
μA |
Tj=125℃ |
----- |
----- |
4 |
mA |
||
VRRM |
VR=VRRM |
Tj=25℃ |
----- |
----- |
10 |
μA |
Tj=125℃ |
----- |
----- |
4 |
mA |
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.