YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Dom> Products> Urządzenia z dysku półprzewodnikowego (typ kapsułki)> Dioda prostownika (standardowa dioda)> Dioda prostownika wysokiego napięcia 30A
Dioda prostownika wysokiego napięcia 30A
Dioda prostownika wysokiego napięcia 30A
Dioda prostownika wysokiego napięcia 30A
Dioda prostownika wysokiego napięcia 30A
Dioda prostownika wysokiego napięcia 30A

Dioda prostownika wysokiego napięcia 30A

$0.851000-1999 Piece/Pieces

$0.78≥2000Piece/Pieces

Rodzaj płatności:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transport:Ocean,Air
Porta:SHANGHAI
cechy produktu

Model NoYZPST-RD3016-TO263

MarkaYzpst

Tstg-55 ~150℃

Tj-55 ~150℃

VRRM1600V

IF(AV)30A

IFSM350A

I2t612A2S

Pakowanie i dostawa
Jednostki sprzedaży : Piece/Pieces
Typ pakietu : 1. Opakowanie antyelektrostatyczne 2. Pudełko kartonowe 3. Opakowanie ochronne tworzyw sztucznych
Pobieranie :
YZPST-RD3016-to263
Opis Product


YZPST-ZP3016-RD3016-ZP30A1600V 30A Dioda prostownika


OPIS:
Seria wysokiego napięcia prostownika była
Zoptymalizowane pod kątem bardzo niskiego spadku napięcia do przodu. Szkło
Zastosowana technologia pasywacji ma niezawodne działanie
Temperatura skrzyżowania 150 ° C

High Voltage 30A Rectifier Diode

APLIKACJE:

• Wyjście wejściowe
• Przełączniki półprzewodników i prostowniki wyjściowe, które są dostępne w identycznych konturach opakowań


Ab s o l u te m ax i m u m ra t i n g s

Parameter

Symbol

Test Conditions

Value

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

 

-55 ~ 150

Operating junction temperature range

Tj

 

-55~ 150

Maximum Repetitive peak reverse voltage

VRRM

 

1600

V

Maximum average forward current

IF(AV)

TC = 105 °C, 180°       conduction half sine wave

30

A

Maximum peak one cycle

non-repetitive surge current

 

IFSM

10 ms sine pulse, no voltage reapplied

 

350

 

A

I2t value for fusing (tp=10ms)

I2t

10 ms sine pulse, no voltage reapplied

612

A2S

E l ect r i c a l c hara cte r i st i cs ( t = 25un l e ss o t he r w i s e s pe c ifi ed )

Parameter Symbol Test Conditions Value Unit
Maximum forward voltage drop VFM IF=30 A 1.2 V
Maximum reverse leakage current IRM TJ = 25 °C 5 µA
VR = Rated VRRM
TJ = 150 °C 1 mA
VR = Rated VRRM
Rmal _ Oporności
Symbol Parameter Value Unit
Rth(j-a) junction to    ambient 45 /W
Rth(j-c) Junction to case 0.9
Lub dering Informacja Schemat

High Voltage 30A Rectifier Diode

To-263 Pakiet Mechaniczny Dane

High Voltage Rectifier


苏ICP备05018286号-1
Wyślij zapytanie
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Wysłać