16A BTB16-800BW 800V Zastosowanie triaku na obciążeniu indukcyjnym
$0.165000-9999 Piece/Pieces
$0.14≥10000Piece/Pieces
Rodzaj płatności: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
transport: | Ocean,Land,Express,Others |
Porta: | SHANGHAI |
$0.165000-9999 Piece/Pieces
$0.14≥10000Piece/Pieces
Rodzaj płatności: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
transport: | Ocean,Land,Express,Others |
Porta: | SHANGHAI |
Model No: YZPST-BTB16-800BW
Marka: Yzpst
Miejsce Pochodzenia: Chiny
IT(RMS): 16A
VDRM: 800V
VRRM: 800V
VTM: ≤ 1.5v
Tstg: -40~150℃
Tj: -40~150℃
ITSM: 160A
I2t: 128A2s
DI/dt: 50A/μs
Jednostki sprzedaży | : | Piece/Pieces |
Typ pakietu | : | 1. Opakowanie antyelektrostatyczne 2. Pudełko kartonowe 3. Braid |
Pobieranie | : |
YZPST-BTB16-800BW 800V BTB16-800BW 16A Triac
BTA 1 6/ BTB 16 (BT 13 9) Seria 16 przedsionek
Opis :Przy wysokiej zdolności do wytrzymania obciążenia wstrząsu dużego prądu BTA16/BTB16 Triacs zapewniają wysoką szybkość DV/DT z silną rezystancją interfejsu elektromagnetycznego.
Dzięki wysokim wydajnościom komutacji 3 kwadrantów, szczególnie zalecane do stosowania na obciążeniu indukcyjnym. Od wszystkich trzech zacisków po zewnętrzne ciepło, BTA16 zapewnia znamionowe napięcie izolacyjne 2500 VRMS zgodnie z normami UL
Główne funkcje :
symbol |
value |
unit |
IT(RMS) |
16 |
A |
VDRM/VRRM |
600/800/ 1200 |
V |
VTM |
≤ 1.5 |
V |
Absolutnie maksymalne oceny :
Parameter |
Symbol |
Value |
Unit |
Storage junction temperature range |
Tstg |
-40~150 |
℃ |
Operating junction temperature range |
Tj |
-40~125 |
℃ |
Repetitive peak off-state voltage (Tj=25C) |
VDRM |
600/800/ 1200 |
V |
Repetitive peak reverse voltage (Tj=25C) |
VRRM |
600/800/ 1200 |
V |
RMS on-state current |
IT(RMS) |
16 |
A |
Non repetitive surge peak on-state current (full cycle, F=50Hz) |
ITSM
|
160
|
A
|
I2t value for fusing (tp=10ms) |
I2t |
128 |
A2s |
Critical rate of rise of on-state current(IG=2× IGT) |
dI/dt |
50 |
A/μs |
Peak gate current |
IGM |
4 |
A |
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
1 |
W |
Peak gate power |
PGM |
5 |
W |
Charakterystyka elektryczna (tj = 25c, chyba że określono inaczej)
3 kwadranty :
Parameter | Value | |||||||
Test Condition | Quadrant | TW | SW | CW | BW | Unit | ||
IGT | VD=12V, | 5 | 10 | 35 | 50 | A | ||
VGT | RL=33Ω | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MAX | 1.3 | V | |||
VGD | VD=VDRM | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MIN | 0 2 | V | |||
IH | IT=100mA | MAX | 15 | 25 | 40 | 60 | A | |
Ⅰ-Ⅲ | 20 | 30 | 50 | 70 | m | |||
IL | IG=1.2IGT | Ⅱ | MAX | 25 | 40 | 60 | 90 | A |
VD=2/3VDRM Tj=125C Gate open | ||||||||
dV/dt | MIN | 100 | 200 | 500 | 1000 | V/µs |
4 kwadranty :
Parameter | Value | |||||
Test Condition | Quadrant | C | B | Unit | ||
Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | 25 | 50 | A | |||
IGT | VD=12V, | Ⅳ | 50 | 70 | A | |
VGT | RL=33Ω | ALL | MAX | 1.5 | V | |
VGD | VD=VDRM | ALL | MIN | 0.2 | V | |
IH | IT=100mA | MAX | 40 | 60 | A | |
Ⅰ-Ⅲ- Ⅳ | 50 | 70 | m | |||
IL | IG=1.2IGT | Ⅱ | MAX | 70 | 90 | A |
VD=2/3VDRM Tj=125C Gate open | ||||||
dV/dt | MIN | 200 | 500 | V/µs |
Charakterystyka statyczna
Symbol | Test Condition | Value | Unit | ||
VTM | ITM=22.5A tp=380μs | Tj=25C | MAX | 1.5 | V |
IDRM | Tj=25C | 5 | A | ||
IRRM | VDRM= VRRM | Tj=125C | MAX | 1 | A |
Opór termiczny
Symbol | Test Condition | Value | Unit | |
Rth(j-c) | TO-220A(Ins) | 2.1 | ℃/W | |
TO-220B(Non-Ins) | 1.3 | |||
TO-220F(Ins) | 2.3 | |||
junction to case(AC) | TO-263 | 2.4 |
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.