Sprzedaż tyrystora YZPST Jiangsu
Pobierz najnowszą cenęRodzaj płatności: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
transport: | Ocean,Air |
Porta: | Shanghai |
Rodzaj płatności: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
transport: | Ocean,Air |
Porta: | Shanghai |
Model No: YZPST-KN1000A16-BSTR60110
Marka: YZPST
Asymetryczne tyrystory
YZPST-KN1000A16-BSTR60110
CHARAKTERYSTYKA ELEKTRYCZNA I OCENY
Asymetryczne tyrystory Typ: YZPST A60110
Uwagi:
Wszystkie oceny są określone dla Tj = 25 oC, chyba że
inaczej określone.
(1) Wszystkie wartości napięcia są określone dla zastosowanego
Sinusoidalny przebieg sinusoidalny 50Hz / 60zHz
zakres temperatury od -40 do + 125 ° C.
(2) 10 milisekund. maks. szerokość impulsu
(3) Maksymalna wartość dla Tj = 125 oC.
(4) Minimalna wartość liniowa i wykładnicza
waveshape do VDRM z oceną 80%. Otwarcie bramy.
Tj = 125 oC.
(5) Niepowtarzalna wartość.
(6) Wartość di / dt ustala się zgodnie z
ze standardem EIA / NIMA RS-397, rozdział
5-2-2-6. Określona wartość byłaby dodatkiem
do tego uzyskanego z obwodu tłumiącego,
zawierający kondensator 0,2 F i 20 omów
opór równolegle z thristor pod
test.
Blocking - Off State
VRRM (1) |
VDRM (1) |
20 |
1600 |
V RRM = Powtarzalne szczytowe napięcie wsteczne
V DRM = Repetitive peak off state voltage
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM
|
100 mA
|
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
1000 V/msec |
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Average value of on-state current |
IT(AV)M |
|
1000 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tsink=55oC |
RMS value of on-state current |
ITRMS |
|
2000 |
|
A |
Nominal value |
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
20
|
|
KA |
10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
I square t |
I2t |
|
2x106 |
|
A2s |
10.0 msec |
Latching current |
IL |
|
- |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
Holding current |
IH |
|
1000 |
|
mA |
VD = 24 V; I =2.5 A |
Peak on-state voltage |
VTM |
|
2.42 |
|
V |
ITM =2000 A; Tj = 125 oC |
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
- |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
800 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V |
Bramkowanie
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
30 |
|
W |
tp = 40 us |
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
5 |
|
W |
|
Peak gate current |
IGM |
|
- |
|
A |
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
- 300 - |
|
mA mA mA |
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC |
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
|
- 3.0 - |
|
V V V |
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC |
Peak negative voltage |
VGRM |
|
5 |
|
V |
|
Dynamiczny
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Delay time |
td |
|
1.6 |
0.8 |
ms |
ITM =500 A; VD = Rated VDRM Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms |
Turn-off time (with VR = -50 V) |
tq |
|
- |
20 |
ms |
ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms; VR ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0; Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01% |
Reverse recovery charge |
Qrr |
|
- |
- |
mC |
ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms; VR ³ -50 V |
* Gwarantowane maks. wartość, skontaktuj się z fabryką.
CHARAKTERYSTYKA TERMICZNA I MECHANICZNA I OZNACZENIA
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c) |
|
- - |
|
K/W |
Double sided cooled Single sided cooled |
Thermal resistance - case to heatsink |
RQ (c-s) |
|
- - |
|
K/W |
Double sided cooled Single sided cooled |
Thermal resistance - junction to heatsink |
RQ (j-s) |
|
0.02 0.04 |
|
K/W |
Double sided cooled Single sided cooled |
Mounting force |
P |
19 |
26 |
|
kN |
|
Weight |
W |
|
|
- |
g |
about |
* Powierzchnie montażowe są gładkie, płaskie i nasmarowane
Uwaga: dla obrysu i wymiarów obudowy, patrz rysunek szkicu obudowy na ostatniej stronie niniejszych Danych technicznych
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.