Silicon 90A wysokiej częstotliwości SCR z ceną

Silicon 90A wysokiej częstotliwości SCR z ceną

Pobierz najnowszą cenę

Rodzaj płatności:	L/C,T/T,Paypal
Incoterm:	FOB,CFR,CIF
transport:	Ocean,Air
Porta:	Shanghai

Skontaktuj się Now

Opis Product

cechy produktu

Pakowanie i dostawa

Opis Product

cechy produktu

Model No: YZPST-1690-TO-247S-2

Marka: YZPST

Pakowanie i dostawa

Typ pakietu	:	1. Opakowanie antyelektrostatyczne 2. Karton 3. Plastikowe opakowanie ochronne
Pobieranie	:

Opis Product

Seria SCR PST1690 z serii 90A

YZPST-1690-TO-247S

D E SCRI P TI O N:

PS T1 6 9 0 s e r i e o f ikona si l c o n trolled i n t i f IERS, czami H I G H AB i L ity t o wit h i d t h e s H O CK l O o d n i g o f lar g e c u r r en t, p ro v ide h i g h d v / d t oceniać w ego s t r na g oprzeć się ce do LEC e t r o m a g ne TLC i n t e r e f re n e. Ie r a Re ik p e cjalnie rec o mm en d e d f o r użytkowania o n s o l i d st a te rela y , mo t o rc y cle, po w e r c ha r g e r , T - t oo ls e tc

A B S O L U TE MA X I MU M R A TINGS

Parameter	Symbol	Value	Unit
Storage junction temperature range	Tstg	-40-150	℃
Operating junction temperature range	Tj	-40-125	℃
Repetitive peak off-state voltage	VDRM	1600	V
Repetitive peak reverse voltage	VRRM	1600	V
Average on-state current (TC=80℃)	IT(AV)	56	A
RMS on-state current(TC=80℃)	IT(RMS)	90	A
Non repetitive surge peak on-state current (tp=10ms)	ITSM	1250	A
I2t value for fusing (tp=10ms)	I2t	7800	A2s
Critical rate of rise of on-state current (IG=2×IGT)	dI/dt	150	A/μs
Peak gate current	IGM	10	A
Peak gate power	PGM	20	W
Average gate power dissipation(Tj=125℃)	PG(AV)	2	W

E L E C TRICAL Ch RA CTERI S TICS (T J = 25 ℃ U n mniejszy O T H E r W ise s pe ci f e d )

Symbol	Test Condition	Value			Unit
Symbol	Test Condition	MIN.	TYP.	MAX.	Unit
IGT	VD=12V RL=30Ω	10	-	80	mA
VGT	VD=12V RL=30Ω	-	-	1.5	V
VGD	VD=VDRM Tj=125℃	0.25	-	-	V
IL	IG=1.2 IGT	-	-	200	mA
IH	IT=1A	-	-	150	mA
dV/dt	VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate Open	1000	-	-	V/μs