Wysoka szybkość DV/DT 600V BTA06-600BW 6A Triac
$0.115000-49999 Piece/Pieces
$0.09≥50000Piece/Pieces
Rodzaj płatności: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
transport: | Ocean,Land,Others |
Porta: | SHANGHAI |
$0.115000-49999 Piece/Pieces
$0.09≥50000Piece/Pieces
Rodzaj płatności: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
transport: | Ocean,Land,Others |
Porta: | SHANGHAI |
Model No: YZPST-BTA06-600BW
Marka: Yzpst
Place Of Origin: China
IT(RMS): 6A
VDRM: 600V
VRRM: 600V
VTM: ≤1.5V
Tstg: -40~150℃
Tj: -40~125℃
ITSM: 60A
BTA06/BTB06 Series 6A Triacs
YZPST-BTA06-600BW
Wysoka szybkość DV/DT 600V BTA06-600BW 6A Triac
OPIS:
Przy wysokiej zdolności do wytrzymania obciążenia wstrząsu dużego prądu, tr, tr, tr, zapewniają wysoką szybkość DV/DT z silną rezystancją interfejsu elektromagnetycznego.
Dzięki wysokim osiągnięciom komutacji 3 produkty kwadrantów specjalnie zalecane do stosowania na obciążeniu indukcyjnym. Od wszystkich trzech zacisków po zewnętrzne ciepło, BTA06 zapewnia znamionowe napięcie izolacyjne 2500 VRMS zgodnie z normami UL
GŁÓWNY CECHY:
symbol |
value |
unit |
IT(RMS) |
6 |
A |
VDRM/VRRM |
600/800 |
V |
VTM |
≤1.5 |
V |
ABSOLUTNY MAKSYMALNY Oceny:
Parameter |
Symbol |
Value |
Unit |
Storage junction temperature range |
Tstg |
-40~150 |
℃ |
Operating junction temperature range |
Tj |
-40~125 |
℃ |
Repetitive peak off-state voltage (Tj=25℃) |
VDRM |
600/800 |
V |
Repetitive peak reverse voltage (Tj=25℃) |
VRRM |
600/800 |
V |
RMS on-state current |
IT(RMS) |
6 |
A |
Non repetitive surge peak on-state current (full cycle, F=50Hz) |
ITSM |
60 |
A |
I2t value for fusing (tp=10ms) |
I2t |
18 |
A2s |
Critical rate of rise of on-state current(IG=2 × IGT) |
dI/dt |
50 |
A/ μs |
Peak gate current |
IGM |
2 |
A |
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
1 |
W |
Peak gate power |
PGM |
5 |
W |
Charakterystyka elektryczna (tj = 25 ℃ , chyba że określono inaczej)
3 kwadranty :
Parameter | Value | |||||||
Test Condition | Quadrant | TW | SW | CW | BW | Unit | ||
IGT | VD=12V, | 5 | 10 | 35 | 50 | mA | ||
VGT | RL=33Ω | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MAX | 1.5 | V | |||
VGD | VD=VDRM | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MIN | 0.2 | V | |||
IH | IT=100mA | MAX | 6 | 10 | 35 | 60 | mA | |
Ⅰ-Ⅲ | 10 | 15 | 50 | 70 | ||||
IL | IG=1.2IGT | Ⅱ | MAX | 15 | 25 | 60 | 80 | mA |
VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate open | ||||||||
dV/dt | MIN | 50 | 100 | 500 | 1000 | V/ µs |
4 kwadranty :
Parameter | Value | |||||
Test Condition | Quadrant | C | B | Unit | ||
Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | 25 | 50 | mA | |||
IGT | VD=12V, | Ⅳ | 50 | 70 | mA | |
VGT | RL=33Ω | ALL | MAX | 1.5 | V | |
VGD | VD=VDRM | ALL | MIN | 0.2 | V | |
IH | IT=100mA | MAX | 40 | 60 | mA | |
IL | IG=1.2IGT | Ⅰ-Ⅲ- Ⅳ | MAX | 50 | 70 | mA |
TERMICZNY Oporności
Symbol | Test Condition | Value | Unit | |
TO-251-4R/ TO-252-4R | 2.8 | |||
TO-220A(Ins) | 3.4 | |||
TO-220B(Non-Ins) | 2.2 | ℃/W | ||
Rth(j-c) | junction to case(AC) | TO-220F(Ins) | 3.2 |
PAKIET MECHANICZNY DANE
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.