YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Dom> Products> Urządzenia z dysku półprzewodnikowego (typ kapsułki)> Dioda spawalnicza> Dioda spawalnicza o wysokiej gęstości prądu ZP18000
Dioda spawalnicza o wysokiej gęstości prądu ZP18000
Dioda spawalnicza o wysokiej gęstości prądu ZP18000
Dioda spawalnicza o wysokiej gęstości prądu ZP18000
Dioda spawalnicza o wysokiej gęstości prądu ZP18000

Dioda spawalnicza o wysokiej gęstości prądu ZP18000

$55≥10Piece/Pieces

Rodzaj płatności:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Min. Zamówienie:10 Piece/Pieces
transport:Ocean,Air
Porta:SHANGHAI
cechy produktu

Model NoYZPST-ZP18000-02

MarkaYZPST

Pakowanie i dostawa
Jednostki sprzedaży : Piece/Pieces
Typ pakietu : 1. Opakowanie antyelektrostatyczne 2. Pudełko kartonowe 3. Plastikowe opakowanie ochronne
Opis Product

Diody spawalnicze

YZPST-ZP18000-02

Cechy:

Wszystkie rozproszone struktury

. Wysoka gęstość prądu

. Bardzo niski spadek napięcia w stanie włączenia

. metalowa obudowa z ceramicznym izolatorem

. Ultra niski opór cieplny

CHARAKTERYSTYKA ELEKTRYCZNA I OCENY

Blokowanie - stan wyłączony

1

Uwagi:

Wszystkie oceny podano dla Tj = 25 oC, chyba że zaznaczono inaczej.

(1) Połowa sinusoidy, f = 50 Hz, Tj = od -40 do + 170oC.

(2) Pół sinus, 10 ms, Tj = od -40 do + 170oC.

(3) Maksymalna temperatura złącza: Tj = 170 oC.

(4) Parametry są zdefiniowane poniżej:

2


Prowadzenie - stan włączony

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IF(AV)

18000

A

sine,180o Conduction angle,Tc =85oC

RMS value of on-state current

IF(RMS)

28200

A

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

IFSM

135000

A

10.0 msec ,sine, 180o Conduction angle, Tj = 170 oC

I2t

I2t

91100000

A2s

10.0 msec, sine, Tj = 170 oC

Peak on-state voltage

VFM

1.08

0.97

V

IFM =12000 A; 25 oC IFM =5000 A; 25 oC

Threshold votage

VTO

0.74

V

Tj = 170 oC

Slope resistance

rT

0.016

mΩ

Tj = 170 oC

Reverse Recovery Current (4)

IRM(REC)

A

IFM = 1000 A; dIF/dt = 10 A/ms;Tjmax

Reverse Recovery Charge (4)

Qrr

mC

IFM = 1000 A; dIF/dt = 10 A/ms;Tjmax

Reverse Recovery Time (4)

tRR

ms

CHARAKTERYSTYKA TERMICZNA I MECHANICZNA

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating junction temperature range

Tj

-40

+170

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+170

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

0.004

o

C/W

Double sided cooled

Thermal resistance - case to sink

RQ (j-c)

0.008

o

C/W

Single sided cooled

Creepage distance on the surface

DS

8

mm

Air breakdown distance

Da

8

mm

Mounting force

F

36

44

kN

Weight

W

578

g

ZARYS SPRAWY I WYMIARY

3







Dom> Products> Urządzenia z dysku półprzewodnikowego (typ kapsułki)> Dioda spawalnicza> Dioda spawalnicza o wysokiej gęstości prądu ZP18000
苏ICP备05018286号-1
Wyślij zapytanie
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Wysłać