YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Dom> Products> Pakiet z plastiku półprzewodnikowy> Plastikowa dioda pakietowa> Wysokoprądowa dioda Schottky 2.0AMP SBD S
Wysokoprądowa dioda Schottky 2.0AMP SBD S
Wysokoprądowa dioda Schottky 2.0AMP SBD S
Wysokoprądowa dioda Schottky 2.0AMP SBD S
Wysokoprądowa dioda Schottky 2.0AMP SBD S
Wysokoprądowa dioda Schottky 2.0AMP SBD S
Wysokoprądowa dioda Schottky 2.0AMP SBD S

Wysokoprądowa dioda Schottky 2.0AMP SBD S

$0.021000-9999 Piece/Pieces

$0.017≥10000Piece/Pieces

Rodzaj płatności:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Min. Zamówienie:10000 Piece/Pieces
transport:Ocean,Air
Porta:Shanghai
cechy produktu

Model NoYZPST-SB2100

MarkaYZPST

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage100v

Maximum RMS Voltage70v

Maximum DC Blocking Voltage100v

Maximum Average Forward Rectified Current2.0a

Maximum DC Reverse Current0.5ma

At Rated DC Blocking Voltage20ma

Storage Temperature Range TSTG-65 +150℃

Pakowanie i dostawa
Jednostki sprzedaży : Piece/Pieces
Typ pakietu : 1. Opakowanie antyelektrostatyczne 2. Pudełko kartonowe 3. oplot
Opis Product

Wysokoprądowa dioda Schottky 2.0AMP SBD S


YZPST-SB220 PRZEZ SB2200

FUNKCJE
Niski spadek napięcia przewodzenia
Wysoka wydajność prądowa
Wysoka niezawodność
Wysoka zdolność prądu udarowego
Konstrukcja epitaksjalna

DANE MECHANICZNE
Sprawa: Formowany plastik
Epoksyd: środek zmniejszający palność UL 94V-0
Przewód: przewody osiowe, lutowane zgodnie z MIL-STD-202, metoda 208 gwarantowana
Polaryzacja: kolorowy pasek oznacza koniec katody;
Pozycja montażu: dowolna
Waga: 0,34 grama
Dostępne są zarówno produkty normalne, jak i wolne od Pb:
Normalny:80~95%Sn,5~20%Pb
Pbfree: 99Snabovemoże spotkać Rohsenviromentdyrektywa substancjizapytanie
YZPST-SB2100-1

ZAKRES NAPIĘCIA
20 do 200 woltów
OBECNY
2,0 ampera
MAKSYMALNE PARAMETRY I CHARAKTERYSTYKI ELEKTRYCZNE
Temperatura otoczenia 25 C bez innych specyfikacji. Jednofazowa półfala, 60Hz, obciążenie rezystancyjne lub indukcyjne.
W przypadku obciążenia pojemnościowego obniż prąd o 20%.

TYPE NUMBER

SB220

SB240

SB260

SB280

SB2100

SB2150

SB2200

UNITS

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

20

40

60

80

100

150

200

V

Maximum RMS Voltage

14

28

42

56

70

105

140

V

Maximum DC Blocking Voltage

20

40

60

80

100

150

200

V

Maximum Average Forward Rectified Current

See Fig. 1

 

2.0

 

A

Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load (JEDEC method)

 

50

 

A

Maximum Instantaneous Forward Voltage at 2.0A

0.55

0.70

0.85

V

Maximum DC Reverse Current Ta=25 C

at Rated DC Blocking Voltage Ta=100 C

0.5

20

mA

mA

Typical Junction Capacitance (Note1)

170

pF

Typical Thermal Resistance RqJA (Note 2)

35

C/W

Operating Temperature Range TJ

-65 +125

-65 +150

C

Storage Temperature Range TSTG

-65 +150

C

UWAGI:
1. Zmierzone przy 1 MHz i przyłożone napięcie wsteczne 4,0 V DC;
2. Złącze rezystancji termicznej do otoczenia w pionie Montaż płytki drukowanej 0,5 "(12,7 mm) Długość przewodu.



Dom> Products> Pakiet z plastiku półprzewodnikowy> Plastikowa dioda pakietowa> Wysokoprądowa dioda Schottky 2.0AMP SBD S
苏ICP备05018286号-1
Wyślij zapytanie
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Wysłać