YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Dom> Products> Pakiet z plastiku półprzewodnikowy> Plastikowa dioda pakietowa> Diody wysokonapięciowe YZPST-HVP-12
Diody wysokonapięciowe YZPST-HVP-12
Diody wysokonapięciowe YZPST-HVP-12
Diody wysokonapięciowe YZPST-HVP-12
Diody wysokonapięciowe YZPST-HVP-12
Diody wysokonapięciowe YZPST-HVP-12
Diody wysokonapięciowe YZPST-HVP-12

Diody wysokonapięciowe YZPST-HVP-12

$1.510-199 Piece/Pieces

$1.1≥200Piece/Pieces

Rodzaj płatności:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Min. Zamówienie:10 Piece/Pieces
transport:Ocean,Air
Porta:Shanghai
cechy produktu

Model NoYZPST-HVP-12

MarkaYZPST

Pakowanie i dostawa
Jednostki sprzedaży : Piece/Pieces
Typ pakietu : 1. Opakowanie antyelektrostatyczne 2. Pudełko kartonowe 3. Oplot
Opis Product

Dioda wysokonapięciowa HVP-12


1.Ma i n Spec i f i ca ti on

 


  No.

 


Item

 


Symbol

 


 Unit

 


Rating

 


Conditions

 

 

1

 

              

            RepetitivPeak Reverse Voltage

 

 

VRRM

 

 

KV

 

 

16


 

 

 

2

 

 

            

  AveragForwarCurrent

 

 

IF (AV)

 

 

mA

 

 

750

          

        

                  Tamb=60 oC

50HZ Sine-half Wave

Rectification Average Value

 

 

     3

 

 

           Forward Surge Current

 

 

IFSM

 

 

A

 

 

50

 

                   Tamb=25 oC

50HZ Sine-half Wave,OnShot

 

 

4

 

        Reverse Surge Current

 

 

IRSM

 

 

μA   

 

 

5

  

       

Pulse width 1mtrianglwave single pulse

 

 

5

 

                 

   Maximum Junction Temperature

 

 

 

 

Tjmax

 

 

oC

 

 

120


 

6

 

Storage Temperature

 

Tstg

 

oC

 

-40~+120


2. E l ec t r i c S pec i f i ca ti on


NO.

 

Item

 

Symbol

 

   Unit

 

   Rating

 

Test conditions

 

1

 

              ForwarVoltage Drop

 

VFM

 

V

 

  18

 

IF(AV)=750mA

 

2

 

      Normal TemperaturReverse Current

 

IRM1

 

μA

 

  5

 

VRM=16KV

 

3

 

      High TemperaturReverse Current

 

IRM2

 

μA

 

   50

Tamb=100oC

VRM=16KV

 

4

 

        Reverse Breakdown Voltage

 

VZ

 

KV

 

       16

 

            IR=750mA

 

5

 

            Reverse Recovery Time

 

trr

 

nS

 

     -

 

 IF=IR=200mA, 90%

(Tamb = 25 oC, chyba że określono inaczej)

3. A pp li ca ti on

Przemysłowy sprzęt do suszenia mikrofalowego, moc wysokiej częstotliwości, moc zgrzewarki ultradźwiękowej o wysokiej częstotliwości, prostownik mocy innych urządzeń elektronicznych.

4.D e ra ti ng O F F o r w a rd K u rrent


YZPST-HVP-12-2

Temperatura otoczenia ℃

5. D i m en i ons (i n mm ) )

YZPST-HVP-12-3

L

77

B

20

H

20

Notethe appearance Figure 1,Figure2 two to choose from,please confirm!



苏ICP备05018286号-1
Wyślij zapytanie
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Wysłać