Tyrystor o dużej mocy do zastosowań kontroli faz 1600 V
$3501-9 Piece/Pieces
$250≥10Piece/Pieces
Rodzaj płatności: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
transport: | Ocean,Air |
Porta: | SHANGHAI |
$3501-9 Piece/Pieces
$250≥10Piece/Pieces
Rodzaj płatności: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
transport: | Ocean,Air |
Porta: | SHANGHAI |
Model No: YZPST-KP4350A1600V
Marka: Yzpst
VRRM: 1600V
VDRM: 1600V
I RRM /I DRM: 450A
I T(AV): 4350A
Jednostki sprzedaży | : | Piece/Pieces |
Typ pakietu | : | 1. Opakowanie antyelektrostatyczne 2. Pudełko kartonowe 3. Opakowanie ochronne tworzyw sztucznych |
Pobieranie | : |
Tyrystor o dużej mocy do zastosowań kontroli fazowej
YZPST-KP4350A1600V
Cechy:
. Cała rozproszona struktura
. Liniowa konfiguracja bramki wzmacniającej
. Blokowanie kapabilty do 16 00 woltów
. Gwarantowany maksymalny czas wyłączenia
. Wysoka zdolność DV/DT
. Urządzenie zmontowane na ciśnienie
Charakterystyka elektryczna i oceny
Blokowanie - poza stanem
Device Type |
VRRM (1) |
VDRM (1) |
VRSM (1) |
KP4350A |
1600 |
1600 |
1700 |
V rrm = powtarzające się szczytowe napięcie odwrotne
V DRM = powtarzające się napięcie stanu poza szczytem
V RSM = nie powtarzalne szczytowe napięcie odwrotne (2)
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM
|
450 mA (3) |
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
300 V/msec |
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Average value of on-state current |
IT(AV) |
|
4350 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,TS=70oC |
Peak one cpstcle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
48900
|
|
A
|
10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
I square t |
I2t |
|
11.9x106 |
|
A2s |
10.0 msec |
Latching current |
IL |
|
1000 |
|
mA |
VD = 12 V; RL= 12 ohms |
Holding current |
IH |
|
450 |
|
mA |
VD = 12 V; I = 2.5 A |
Peak on-state voltage |
VTM |
|
1.5 |
|
V |
ITM = 6000 A; Duty cpstcle £ 0.01% Tj = 25 oC |
Critical rate of rise of on-state current (5) |
di/dt |
|
200 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
Bramkowanie
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
200 |
|
W |
tp = 40 us |
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
5 |
|
W |
|
Peak gate current |
IGM |
|
15 |
|
A |
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
30 |
300 200 125 |
|
mA mA mA |
VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = +25 oC VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = +125oC |
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
0.30 |
5 3
|
|
V V V |
VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC |
Peak negative voltage |
VGRM |
|
15 |
|
V |
|
Zarys obudowy i wymiary.
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.