YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Dom> Products> Urządzenia z dysku półprzewodnikowego (typ kapsułki)> Thyristor Faz Control.> Urządzenie zmontowane ciśnieniowo tyrystor wysokiej mocy 4500 V.
Urządzenie zmontowane ciśnieniowo tyrystor wysokiej mocy 4500 V.
Urządzenie zmontowane ciśnieniowo tyrystor wysokiej mocy 4500 V.
Urządzenie zmontowane ciśnieniowo tyrystor wysokiej mocy 4500 V.
Urządzenie zmontowane ciśnieniowo tyrystor wysokiej mocy 4500 V.
Urządzenie zmontowane ciśnieniowo tyrystor wysokiej mocy 4500 V.
Urządzenie zmontowane ciśnieniowo tyrystor wysokiej mocy 4500 V.

Urządzenie zmontowane ciśnieniowo tyrystor wysokiej mocy 4500 V.

$4101-9 Piece/Pieces

$310≥10Piece/Pieces

Rodzaj płatności:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Min. Zamówienie:1 Piece/Pieces
transport:Ocean,Air
Porta:SHANGHAI
cechy produktu

Model NoYZPST-R3708FC45V

MarkaYZPST

Pakowanie i dostawa
Jednostki sprzedaży : Piece/Pieces
Typ pakietu : 1. Opakowanie antyelektrostatyczne 2. Pudełko kartonowe 3. Plastikowe opakowanie ochronne
私域 R3708FC45V 截取 视频 15 秒 1-1.88mb.mp4
Opis Product

TYRYSTOR WYSOKIEJ MOCY DO ZASTOSOWAŃ KONTROLI FAZY

YZPST-R3708FC45V

Cechy:

. Cała rozproszona struktura

. Konfiguracja liniowej bramki wzmacniającej

. Zdolność blokowania do 4500 woltów

. Gwarantowany maksymalny czas wyłączenia

. Wysoka zdolność dV / dt

. Urządzenie montowane pod ciśnieniem

Blokowanie - stan wyłączony



Device Type

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

R3708FC45

4500

4500

4600


V RRM = powtarzalne szczytowe napięcie wsteczne


V DRM


Re = P etiti V e p EAK O ff stan vo LTA g e

V RSM = N O N re p etiti v e p eak re v erse vo lta g e ( 2 )

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

200 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 Vsec

Prowadzenie - stan włączony


kształt fali do 80% oceniono V DRM . Brama otwarty. TJ = 125 o C.

(5) Nie powtarzalne wartość.

(6) The wartość z di / dt jest ustalony w Zgodnie z EIA / NIMA Standard RS-397, Sekcja

5–2–2–6. TH E wartość zdefiniowane by być w dodatek do że uzyskane z za lekceważący Obieg CO O P rośnie za 0.2 μ F kondensator i 20 o m m opór w równolegle z thristor w trakcie testu.


Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

 

3708

 

A

Sinewave,180o conduction,TS=55oC

RMS value of on-state current

ITRMS

 

7364

 

A

TS=25oC

Peak one cpstcle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

50000

 

A

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

12.5x106

 

A2s

10.0 msec

Latching current

IL

 

 

1000

 

mA

VD = 12 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

 

450

 

mA

VD = 12 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

 

2.1

 

V

ITM = 4000 A; Duty cpstcle 0.01% Tj = 125 oC

Critical rate of rise of on-state current (5, 6)

di/dt

 

 

250

 

A/μs

Switching from VDRM 1000 V, non-repetitive

Critical rate of rise of on-state current (6)

di/dt

 

 

100

 

A/μs

Switching from VDRM 1000 V

ELEKTRYCZNY CHARAKTERYSTYKA I OCENY R3708FC45 - Po w er P r RISTOR

Bramkowanie

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

200

 

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

5

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

15

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

30

300

200

125

 

mA mA mA

VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = +25 oC VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

 

0.30

5

3

 

V V V

VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

 

15

 

V

 

D y namic

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 

 

2.5

μs

ITM = 50 A; VD = 1500 V

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms;

tr = 0.1 μs; tp = 20 μs

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

 

 

250

μs

ITM =4000 A; di/dt = 60 As;

VR =100 V; Re-applied dV/dt = 20

V/μs linear to 67% VDRM; VG = 0; Tj = 125 oC; Tp=2000us

Reverse recovery current

Irr

 

 

 

A

ITM =4000 A; di/dt = 60 As; VR =100 V


TERMICZNY I MECHANICZNY CHARAKTERYSTYKA I OCENY

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+140

 

oC

 

Thermal resistance - junction to sink

RΘ (j-s)

 

0.0075

0.0150

 

o

C/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

P

98

113

 

kN

 

Weight

W

 

 

2.7

Kg.

 

* Montowanie powierzchnie S M ooth, mieszkanie i nasmarowane

C458pb Thyristor

Sym

A

B

C

E

Inches

3.9 3

5.90

5.15

1.37

mm

100

150

131

35±1.0



Dom> Products> Urządzenia z dysku półprzewodnikowego (typ kapsułki)> Thyristor Faz Control.> Urządzenie zmontowane ciśnieniowo tyrystor wysokiej mocy 4500 V.
苏ICP备05018286号-1
Wyślij zapytanie
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Wysłać