YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Dom> Products> Urządzenia z dysku półprzewodnikowego (typ kapsułki)> Thyristor Faz Control.> Typy tyrystora do szybkiego przełączania centralnego DCR1059
Typy tyrystora do szybkiego przełączania centralnego DCR1059
Typy tyrystora do szybkiego przełączania centralnego DCR1059
Typy tyrystora do szybkiego przełączania centralnego DCR1059

Typy tyrystora do szybkiego przełączania centralnego DCR1059

Pobierz najnowszą cenę
Rodzaj płatności:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transport:Ocean,Air
Porta:SHANGHAI
cechy produktu

Model NoYZPST-DCR1059

MarkaYZPST

Opis Product

STEROWANA FAŁSZYMI REGULAMINAMI TYLNYMI

YZPST-DCR1059


Wszystkie oceny są określone dla Tj = 25 oC, chyba że podano inaczej.

(1) Wszystkie wartości napięcia są określone dla zastosowanego przebiegu sinusoidalnego 50Hz / 60zHz w zakresie temperatur od -40 do + 125 ° C.

(2) 10 milisekund. maks. szerokość impulsu

(3) Maksymalna wartość dla Tj = 125 oC.

(4) Minimalna wartość liniowego i wykładniczego kształtu fali do VDRM o wartości znamionowej 80%. Otwarcie bramy. Tj = 125 oC.

(5) Niepowtarzalna wartość.

(6) Wartość di / dt ustala się zgodnie z normą EIA / NIMA RS-397, rozdział 5-2-2-6. Określona wartość byłaby dodatkiem

do tego uzyskanego z obwodu tłumiącego, zawierającego kondensator 0,2? F i rezystancję 20 omów równolegle z testowanym tyrystorem .


Cechy:. Wszystkie rozproszone struktury . Centralna konfiguracja bramki wzmacniającej . Zdolność blokowania do 2 1 00 V

. Gwarantowany maksymalny czas wyłączenia . Wysoka zdolność dV / dt . Urządzenie zmontowane ciśnieniowo



HIGH POWER THYRISTOR PHASE CONTROL

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

 

1080

 

A

Sinewave,180o conduction,Tc=80oC

RMS value of on-state current

ITRMS

 

1700

 

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

-

 

18000

 

A

 

A

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

1.6x106

 

A2s

8.3 msec and 10.0 msec

Latching current

IL

 

-

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

-

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

1.45

 

V

ITM = 1000 A; Duty cPSTCle £ 0.01%; Tj = 25 oC

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

 

800

 

A/ms

Switching from VDRM£ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

 

200

 

A/ms

Switching from VDRM£ 1000 V


CHARAKTERYSTYKA ELEKTRYCZNA I OCENY (cd.)

Bramkowanie

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

-

 

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

-

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

-

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

-

350

-

 

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

 

 

VGT

 

-

3.0

-

 

 

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

 

-

 

V

 


Dynamiczny

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 

-

0.7

ms

ITM = 50 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

 

-

50

ms

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms;

VR³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

 

*

 

mC

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms;

VR³ -50 V

* Gwarantowane maks. wartość, skontaktuj się z fabryką.

CHARAKTERYSTYKA TERMICZNA I MECHANICZNA I OZNACZENIA

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC

 

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

 

0.025

0.050

 

oC/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

 

0.010

0.020

 

oC/W

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

P

24.5

26.7

 

kN

 

Weight

W

 

 

480

g

About



* Powierzchnie montażowe są gładkie, płaskie i nasmarowane


PRZYKŁADOWY WYKOŃCZENIE I WYMIARY

Types of High Current Fast Switching Thyristor DCR1059

 high current fast switching thyristor DCR1059
Dom> Products> Urządzenia z dysku półprzewodnikowego (typ kapsułki)> Thyristor Faz Control.> Typy tyrystora do szybkiego przełączania centralnego DCR1059
苏ICP备05018286号-1
Wyślij zapytanie
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Wysłać