YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Dom> Products> Urządzenia z dysku półprzewodnikowego (typ kapsułki)> Thyristor Faz Control.> Wysokoprądowe aplikacje tyrystorowe
Wysokoprądowe aplikacje tyrystorowe
Wysokoprądowe aplikacje tyrystorowe
Wysokoprądowe aplikacje tyrystorowe

Wysokoprądowe aplikacje tyrystorowe

Pobierz najnowszą cenę
Rodzaj płatności:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transport:Ocean,Air
Porta:SHANGHAI
cechy produktu

Model NoYZPST-N330CH26

MarkaYZPST

Opis Product


Wysokoprądowe aplikacje tyrystorowe

YZPST-N330CH26

HIGH POWER Tyrystory 3000V funkcji. Interdigitated Amplifying Gate Configuration . Wysoka zdolność dV / dt

. Gwarantowany maksymalny czas wyłączenia . Urządzenie zmontowane ciśnieniowo

TARRISTY O WYSOKIEJ MOCY DO ZASTOSOWANIA KONTROLI FAZ

CHARAKTERYSTYKA ELEKTRYCZNA I OCENY


Blocking - Off State


VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

3000

3000

3100

V RRM = Powtarzalne szczytowe napięcie wsteczne

V DRM = Repetitive peak off state voltage

V RSM = Niepowtarzalne szczytowe napięcie wsteczne (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

20 mA

100 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

Uwagi:

Wszystkie oceny są określone dla Tj = 25 oC, chyba że podano inaczej.

(1) Wszystkie wartości napięcia są określone dla zastosowanego przebiegu sinusoidalnego 50Hz / 60zHz w zakresie temperatur od -40 do + 125 ° C.

(2) 10 milisekund. maks. szerokość impulsu

(3) Maksymalna wartość dla Tj = 125 oC.

(4) Minimalna wartość liniowego i wykładniczego kształtu fali do VDRM o wartości znamionowej 80%. Otwarcie bramy. Tj = 125 oC.

(5) Niepowtarzalna wartość.

(6) Wartość di / dt ustala się zgodnie z normą EIA / NIMA RS-397, rozdział 5-2-2-6. Określona wartość będzie dodatkiem do wartości uzyskanej z obwodu ubbera, zawierającego kondensator 0,2? F i rezystancję 20 omów równolegle z testowanym tyrystorem.


Prowadzenie - na stanie

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

1132

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

ITRMS

2228

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

14.3

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

1.02x106

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.08

V

ITM = 1830 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

400

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

200

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

Bramkowanie

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

4

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3.0

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

Dynamiczny

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

1.0

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

2.0

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

-

400

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=10A/us, Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us

CHARAKTERYSTYKA TERMICZNA I MECHANICZNA I OZNACZENIA

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

-

-

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

-

-

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-s)

24

48

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

F

19

26

-

kN

Weight

W

-

Kg

about

* Powierzchnie montażowe są gładkie, płaskie i nasmarowane

Uwaga: w przypadku obrysu i wymiarów obudowy, patrz rysunek szkicu obudowy na stronie 3 niniejszej dokumentacji technicznej



Szczegółowe zdjęcia


High current thyristor applications manufactures YZPST-N330CH26

苏ICP备05018286号-1
Wyślij zapytanie
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Wysłać