Wysokoprądowe aplikacje tyrystorowe
Pobierz najnowszą cenęRodzaj płatności: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
transport: | Ocean,Air |
Porta: | SHANGHAI |
Rodzaj płatności: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
transport: | Ocean,Air |
Porta: | SHANGHAI |
Model No: YZPST-N330CH26
Marka: YZPST
Wysokoprądowe aplikacje tyrystorowe
YZPST-N330CH26
HIGH POWER Tyrystory 3000V funkcji. Interdigitated Amplifying Gate Configuration . Wysoka zdolność dV / dt
. Gwarantowany maksymalny czas wyłączenia . Urządzenie zmontowane ciśnieniowo
TARRISTY O WYSOKIEJ MOCY DO ZASTOSOWANIA KONTROLI FAZ
CHARAKTERYSTYKA ELEKTRYCZNA I OCENY
Blocking - Off State
VRRM (1) |
VDRM (1) |
VRSM (1) |
3000 |
3000 |
3100 |
V RRM = Powtarzalne szczytowe napięcie wsteczne
V DRM = Repetitive peak off state voltage
V RSM = Niepowtarzalne szczytowe napięcie wsteczne (2)
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM |
20 mA 100 mA (3) |
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
1000 V/msec |
Uwagi:
Wszystkie oceny są określone dla Tj = 25 oC, chyba że podano inaczej.
(1) Wszystkie wartości napięcia są określone dla zastosowanego przebiegu sinusoidalnego 50Hz / 60zHz w zakresie temperatur od -40 do + 125 ° C.
(2) 10 milisekund. maks. szerokość impulsu
(3) Maksymalna wartość dla Tj = 125 oC.
(4) Minimalna wartość liniowego i wykładniczego kształtu fali do VDRM o wartości znamionowej 80%. Otwarcie bramy. Tj = 125 oC.
(5) Niepowtarzalna wartość.
(6) Wartość di / dt ustala się zgodnie z normą EIA / NIMA RS-397, rozdział 5-2-2-6. Określona wartość będzie dodatkiem do wartości uzyskanej z obwodu ubbera, zawierającego kondensator 0,2? F i rezystancję 20 omów równolegle z testowanym tyrystorem.
Prowadzenie - na stanie
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Average value of on-state current |
IT(AV) |
|
1132 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tc=55oC |
RMS value of on-state current |
ITRMS |
|
2228 |
|
A |
Nominal value |
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
-
14.3 |
|
kA
kA |
8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
I square t |
I2t |
|
1.02x106 |
|
A2s |
8.3 msec |
Latching current |
IL |
|
- |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
Holding current |
IH |
|
1000 |
|
mA |
VD = 24 V; I = 2.5 A |
Peak on-state voltage |
VTM |
|
2.08 |
|
V |
ITM = 1830 A |
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
400 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
200 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V |
Bramkowanie
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
30 |
|
W |
|
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
4 |
|
W |
|
Peak gate current |
IGM |
|
- |
|
A |
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
300 |
|
mA |
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
|
3.0 |
|
V
|
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
Peak negative voltage |
VRGM |
|
5 |
|
V |
|
Dynamiczny
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Delay time |
tgd |
|
1.0 |
- |
ms |
VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C |
Turn-on time |
tgt |
|
2.0 |
- |
|
|
Turn-off time (with VR = -5 V) |
tq |
- |
- |
400 |
ms |
ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=10A/us, Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/us |
Reverse recovery current |
Irm |
|
- |
|
A |
ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us |
CHARAKTERYSTYKA TERMICZNA I MECHANICZNA I OZNACZENIA
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c) |
|
- - |
|
K/kW |
Double sided cooled Single sided cooled |
Thermal resistamce - case to sink |
RQ (c-s) |
|
- - |
|
K/kW |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-s) |
|
24 48 |
|
K/kW |
Double sided cooled Single sided cooled |
Mounting force |
F |
19 |
26 |
- |
kN |
|
Weight |
W |
|
|
- |
Kg |
about |
* Powierzchnie montażowe są gładkie, płaskie i nasmarowane
Uwaga: w przypadku obrysu i wymiarów obudowy, patrz rysunek szkicu obudowy na stronie 3 niniejszej dokumentacji technicznej
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.