YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Dom> Products> Urządzenia z dysku półprzewodnikowego (typ kapsułki)> Thyristor Faz Control.> Sprzęt bezpieczeństwa Tyrystor Hurtownia online
Sprzęt bezpieczeństwa Tyrystor Hurtownia online
Sprzęt bezpieczeństwa Tyrystor Hurtownia online
Sprzęt bezpieczeństwa Tyrystor Hurtownia online
Sprzęt bezpieczeństwa Tyrystor Hurtownia online
Sprzęt bezpieczeństwa Tyrystor Hurtownia online
Sprzęt bezpieczeństwa Tyrystor Hurtownia online

Sprzęt bezpieczeństwa Tyrystor Hurtownia online

Pobierz najnowszą cenę
Rodzaj płatności:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transport:Ocean,Air
Porta:SHANGHAI
cechy produktu

Model NoYZPST-N350SH18

MarkaYZPST

Opis Product


Sprzęt bezpieczeństwa Tyrystor Hurtownia online

YZPST-N350SH18





Tyrystor sprzętu hurtowego ma charakterystykę elektryczną i wartości znamionowe oraz kilka zastosowań wysokiej mocy tyrystora mocy do kontroli fazy.


Wszystkie cechy tyrystora 1800vrozproszone . Konfiguracja Interdigitated Amplifying Gate. Gwarantowany maksymalny czas wyłączenia


. Wysokie możliwości dV / dt i urządzenie montowane pod ciśnieniem.






Blokowanie - stan wyłączony


VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

1800

1800

1900

V RRM = powtarzalne szczytowe napięcie wsteczne

V DRM = powtarzalne napięcie szczytowe wyłączone

V RSM = nie powtarzalne szczytowe napięcie wsteczne (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

10 mA

60 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

Uwagi:

Wszystkie oceny podano dla Tj = 25 oC, chyba że zaznaczono inaczej.

(1) Wszystkie wartości napięcia są określone dla zastosowanego przebiegu sinusoidalnego 50 Hz / 60 Hz w zakresie temperatur od -40 do +125 oC.

(2) 10 ms. max. szerokość impulsu

(3) Maksymalna wartość dla Tj = 125 oC.

(4) Minimalna wartość kształtu fali liniowej i wykładniczej do 80% znamionowego VDRM. Otwarcie bramy. Tj = 125 oC.

(5) Wartość niepowtarzalna.

(6) Wartość di / dt ustala się zgodnie ze standardem EIA / NIMA RS-397, sekcja 5-2-2-6. Zdefiniowana wartość byłaby dodatkowa do wartości uzyskanej z obwodu ubbera, zawierającego kondensator 0,2 F i rezystancję 20 omów równolegle z testowanym tristorem.




Prowadzenie - stan włączony

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

1042

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)M

2072

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

11.52

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

661x103

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

-

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

1.75

V

ITM = 1700 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

1000

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

500

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

Bramkowanie

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

4

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3.0

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

Dynamiczny

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

-

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

-

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

-

-

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/us

Reverse recovery current

Irm

-

-

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us

CECHY TERMICZNE I MECHANICZNE I OCENY

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

-

-

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

-

-

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-s)

32

64

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

F

10

20

-

kN

Weight

W

-

Kg

about

* Powierzchnie montażowe gładkie, płaskie i nasmarowane

Uwaga: zarys i wymiary obudowy znajdują się na szkicu skrzynki na stronie 3 niniejszych danych technicznych





Szczegółowe zdjęcia


Security Thyristor N350SH18

苏ICP备05018286号-1
Wyślij zapytanie
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Wysłać