YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Dom> Products> Urządzenia z dysku półprzewodnikowego (typ kapsułki)> Thyristor Faz Control.> Kontroler mocy tyrystora Westcode 1200V z CE
Kontroler mocy tyrystora Westcode 1200V z CE
Kontroler mocy tyrystora Westcode 1200V z CE
Kontroler mocy tyrystora Westcode 1200V z CE
Kontroler mocy tyrystora Westcode 1200V z CE
Kontroler mocy tyrystora Westcode 1200V z CE

Kontroler mocy tyrystora Westcode 1200V z CE

Pobierz najnowszą cenę
Rodzaj płatności:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transport:Ocean,Air
Porta:Shanghai
cechy produktu

Model NoYZPST-R220CH12FJO

MarkaYZPST

Opis Product



Wielofunkcyjny tyrystor z szybkim przełączaniem

YZPST-R220CH12FJO

TYRYSTOR WYSOKIEJ MOCY DO KONTROLI FAZY 1200 V z CE


Cechą przełączającego tyrystora jest to, że produkt ma całą rozproszoną strukturę, intergitowaną konfigurację bramki wzmacniającej, maksymalny czas wyłączenia gwarancyjny, wysoką zdolność DV / DT i urządzenie zmontowane ciśnieniowo.



CHARAKTERYSTYKA ELEKTRYCZNA I OCENY


Blokowanie - stan wyłączony

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

1200

1200

1300

VRRM = powtarzalne szczytowe napięcie wsteczne

VDRM = powtarzalne napięcie szczytowe wyłączone

VRSM = Nie powtarzalne szczytowe napięcie wsteczne (2)




Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

15 mA

70 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 V/msec



Uwagi:

Wszystkie oceny podano dla Tj = 25 oC, chyba że zaznaczono inaczej.

(1) Wszystkie wartości napięcia są określone dla zastosowanego

Sinusoidalny kształt fali 50 Hz / 60 Hz w

zakres temperatur od -40 do +125 oC.

(2) 10 ms. max. szerokość impulsu

(3) Maksymalna wartość dla Tj = 125 oC.

(4) Minimalna wartość kształtu fali liniowej i wykładniczej do 80% znamionowego VDRM. Otwarcie bramy. Tj = 125 oC.

(5) Wartość niepowtarzalna.

(6) Wartość di / dt ustala się zgodnie ze standardem EIA / NIMA RS-397, sekcja 5-2-2-6. Zdefiniowana wartość byłaby dodatkowa do wartości uzyskanej z obwodu ubbera, zawierającego kondensator 0,2 F i rezystancję 20 omów równolegle z testowanym tristorem.


Prowadzenie - stan włączony

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

964

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)m

1971

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

9.4

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

442x103

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

1.96

V

ITM = 1400 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

1500

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

1000

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

Bramkowanie

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

2

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3.0

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

Dynamiczny

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

1.0

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

2.0

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

-

25

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us

CECHY TERMICZNE I MECHANICZNE I OCENY

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

-

-

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

-

-

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-s)

32

64

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

F

10

20

-

kN

Weight

W

-

Kg

about

* Powierzchnie montażowe gładkie, płaskie i nasmarowane

Uwaga: zarys i wymiary obudowy znajdują się na szkicu skrzynki na stronie 3 niniejszych danych technicznych



Szczegółowe zdjęcia


HIGH POWER THYRISTOR FOR PHASE CONTROL YZPST-R220CH12FJO

苏ICP备05018286号-1
Wyślij zapytanie
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Wysłać