YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Dom> Products> Urządzenia z dysku półprzewodnikowego (typ kapsułki)> Thyristor Faz Control.> Promocyjny tyrystor z najlepszą ceną 1200 V
Promocyjny tyrystor z najlepszą ceną 1200 V
Promocyjny tyrystor z najlepszą ceną 1200 V
Promocyjny tyrystor z najlepszą ceną 1200 V

Promocyjny tyrystor z najlepszą ceną 1200 V

Pobierz najnowszą cenę
Rodzaj płatności:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transport:Ocean,Air
Porta:SHANGHAI
cechy produktu

Model NoYZPST-R1271NS12C

MarkaYzpst

Pakowanie i dostawa
Jednostki sprzedaży : Others
Pobieranie :
Opis Product


Tyrystory o dużej mocy do promocji

YZPST-R1271NS12C

Tyrystor o dużej mocy do zastosowań kontroli fazowej


Power Thyristors of Cechy : . Cała rozproszona struktura . Gwarantowany maksymalny czas wyłączenia . Interdigitowana konfiguracja bramki wzmacniającej

. Wysoka zdolność DV/DT . Urządzenie zmontowane na ciśnienie


Charakterystyka elektryczna i oceny


Blokowanie - poza stanem

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

1200

1200

1300

V rrm = powtarzające się szczytowe napięcie odwrotne

V DRM = powtarzające się napięcie stanu poza szczytem

V RSM = nie powtarzalne szczytowe napięcie odwrotne (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

20 mA

150mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 V/msec

Uwagi:

Wszystkie oceny są określone dla TJ = 25 OC, chyba że zaznaczono inaczej.

(1) Wszystkie oceny napięcia są określone dla zastosowanego przebiegu sinusoidalnego 50 Hz/60ZHz w zakresie temperatur -40 do +125 OC.

(2) 10 ms. Max. szerokość impulsu

(3) Maksymalna wartość dla TJ = 125 OC.

(4) Minimalna wartość dla liniowego i wykładniczego falowego do 80% znamionowej VDRM. Otwarcie bramy. TJ = 125 OC.

(5) wartość nierepetyczna.

(6) Wartość DI/DT jest ustalana zgodnie ze standardem EIA/NIMA RS-397, sekcja 5-2-2-2-6. Zdefiniowana wartość byłaby dodatkiem do wartości uzyskanej z obwodu UBBera, zawierającego kondensator 0,2 f i 20 omów równolegle z testowanym przepustnikiem.


Prowadzenie - w stanie

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

1271

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)m

2599

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

18.0

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

1.62x106

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.02

V

ITM = 2000 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

1500

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

1000

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

Bramkowanie

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

2

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3.0

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

Dynamiczny

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

1.0

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

2.0

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

15

-

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us

Charakterystyka termiczna i mechaniczna i oceny

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

-

-

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

-

-

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-s)

24

48

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

F

19

25

-

kN

Weight

W

-

Kg

about

* Montażowe powierzchnie gładkie, płaskie i nasmarowane

UWAGA: W przypadku konturu i wymiarów sprawy patrz rysunek konturu spraw w stronie 3 tych danych technicznych




Szczegółowe obrazy



Promotion Power Thyristor

苏ICP备05018286号-1
Wyślij zapytanie
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Wysłać