YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Dom> Products> Urządzenia z dysku półprzewodnikowego (typ kapsułki)> Thyristor Faz Control.> 2021 rok Tyrystor promocyjny 6500 V
2021 rok Tyrystor promocyjny 6500 V
2021 rok Tyrystor promocyjny 6500 V
2021 rok Tyrystor promocyjny 6500 V

2021 rok Tyrystor promocyjny 6500 V

Pobierz najnowszą cenę
Rodzaj płatności:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF,EXW
transport:Ocean,Air
Porta:SHANGHAI
cechy produktu

Model NoYZPST-5STP12K6500

MarkaYZPST

Opis Product



TYRYSTOR WYSOKIEJ MOCY DO KONTROLI FAZY

YZPST-5STP12K6500

TYRYSTOR WYSOKIEJ MOCY DO ZASTOSOWAŃ KONTROLI FAZY

6000v Tyrystory Cechy:. Cała struktura rozproszona . Konfiguracja bramki wzmacniającej szprychy

. Gwarantowany maksymalny czas wyłączenia . Wysoka zdolność dV/dt

. Zmontowane urządzenie ciśnieniowe


HIGH POWER THYRISTOR FOR PHASE CONTROL YZPST-5STP12K6500


Dyrygowanie - na stanie


Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)


1200


A

Sinewave,180conduction,Tc=85oC

RMS value of on-state current

ITRMS


1800


A

Nominal value

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

 

ITSM


19000


 

 

A


10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180conduction, T= 125 oC

I square t

I2t


12x106


A2s

10.0 msec

Latching current

IL


3


A

V= 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH


350


mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM


1.99


V

IT= 3000 A; Duty cycle     0.01%

Critical rate of rise of on-state current (5, 6)

di/dt


 

800


A/  s

Switching from VDRM        3000 V, non-repetitive

Critical rate of rise of on-state current (6)

di/dt


 200


A/  s

Switching from VDRM        3000 V


Bramkowanie

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM


200


W

t= 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)


5


W


Peak gate current

IGM


20


A


Gate current required to trigger all units

IGT


300


mA

V= 6 V;R= 3 ohms;T= +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT


 

3


 

V

 

V= 6 V;R= 3 ohms;T= 25oC

Peak negative voltage

VGRM


20


V



HIGH POWER THYRISTOR FOR PHASE CONTROL YZPST-5STP12K6500 * Powierzchnie montażowe gładkie, płaskie i natłuszczone


U w ag ia : obrys obudowy i wymiary patrz rysunek obrysowy obudowy na stronie 3 niniejszych danych technicznych

HIGH POWER THYRISTOR FOR PHASE CONTROL YZPST-5STP12K6500



YZPST-5STP12K6500 6500V thyristor

苏ICP备05018286号-1
Wyślij zapytanie
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Wysłać