YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Dom> Products> Urządzenia z dysku półprzewodnikowego (typ kapsułki)> Asymetryczny tyrystor.> Niestandardowe logo oryginalny projekt słowa kluczowe Asymetryczny tyrystor
Niestandardowe logo oryginalny projekt słowa kluczowe Asymetryczny tyrystor
Niestandardowe logo oryginalny projekt słowa kluczowe Asymetryczny tyrystor
Niestandardowe logo oryginalny projekt słowa kluczowe Asymetryczny tyrystor

Niestandardowe logo oryginalny projekt słowa kluczowe Asymetryczny tyrystor

Pobierz najnowszą cenę
Rodzaj płatności:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transport:Ocean,Air
Porta:Shanghai
cechy produktu

Model NoYZPST-KN1000A28-BSTR62186

MarkaYZPST

Opis Product

Asymetryczne tyrystory

YZPST-KN1000A28-BSTR62186

CHARAKTERYSTYKA ELEKTRYCZNA I OCENY

Asymetryczne tyrystory Typ: KN1000A28-BSTR62186

Uwagi:

Wszystkie oceny są określone dla Tj = 25 oC, chyba że

inaczej określone.

(1) Wszystkie wartości napięcia są określone dla zastosowanego

Sinusoidalny przebieg sinusoidalny 50Hz / 60zHz

zakres temperatury od -40 do + 125 ° C.

(2) 10 milisekund. maks. szerokość impulsu

(3) Maksymalna wartość dla Tj = 125 oC.

(4) Minimalna wartość liniowa i wykładnicza

waveshape do VDRM z oceną 80%. Otwarcie bramy.

Tj = 125 oC.

(5) Niepowtarzalna wartość.

(6) Wartość di / dt ustala się zgodnie z

ze standardem EIA / NIMA RS-397, rozdział

5-2-2-6. Określona wartość byłaby dodatkiem

do tego uzyskanego z obwodu tłumiącego,

zawierający kondensator 0,2  F i 20 omów

opór równolegle z thristor pod

test.


Blocking - Off State

VRRM (1)

VDRM (1)

20

2800

V RRM = Powtarzalne szczytowe napięcie wsteczne

V DRM = Repetitive peak off state voltage

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

 

100 mA

 

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

Prowadzenie - na stanie

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)M

 

1000

 

A

Sinewave,180o conduction,Tsink=55oC

RMS value of on-state current

ITRMS

 

2200

 

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

 

20

 

 

KA

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

2x106

 

A2s

10.0 msec

Latching current

IL

 

-

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

1000

 

mA

VD = 24 V; I =2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

2.42

 

V

ITM =2000 A; Tj = 125 oC

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

 

-

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

 

700

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

CHARAKTERYSTYKA ELEKTRYCZNA I OCENY

Bramkowanie

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

30

 

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

5

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

-

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

-

300

-

 

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

 

 

VGT

 

 

 

-

3.0

-

 

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

 

5

 

V

 

Dynamiczny

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 

1.6

0.8

ms

ITM =500 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

 

-

55

ms

ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms;

VR ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

 

-

-

mC

ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms;

VR ³ -50 V

* Gwarantowane maks. wartość, skontaktuj się z fabryką.

CHARAKTERYSTYKA TERMICZNA I MECHANICZNA I OZNACZENIA

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC

 

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

 

-

-

 

K/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistance - case to heatsink

RQ (c-s)

 

-

-

 

K/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistance - junction to heatsink

RQ (j-s)

 

0.02

0.04

 

K/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

P

19

26

 

kN

 

Weight

W

 

 

-

g

about

* Powierzchnie montażowe są gładkie, płaskie i nasmarowane

Uwaga: dla obrysu i wymiarów obudowy, patrz rysunek szkicu obudowy na ostatniej stronie niniejszych Danych technicznych



Dom> Products> Urządzenia z dysku półprzewodnikowego (typ kapsułki)> Asymetryczny tyrystor.> Niestandardowe logo oryginalny projekt słowa kluczowe Asymetryczny tyrystor
苏ICP备05018286号-1
Wyślij zapytanie
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Wysłać