100mA Asymetryczny tyrystor 1000A

Pobierz najnowszą cenę

Rodzaj płatności:	L/C,T/T,Paypal
Incoterm:	FOB,CFR,CIF
transport:	Ocean,Air
Porta:	Shanghai

Skontaktuj się Now

Opis Product

cechy produktu

Opis Product

cechy produktu

Model No: YZPST-KN1000A20-BSTR60133

Marka: YZPST

Opis Product

Asymetryczne tyrystory

YZPST-KN1000A20-BSTR60133

CHARAKTERYSTYKA ELEKTRYCZNA I OCENY

Asymetryczne tyrystory KT55CT-KN1000A20-BSTR60133

Uwagi:

Wszystkie oceny są określone dla Tj = 25 oC, chyba że podano inaczej.

(1) Wszystkie wartości napięcia są określone dla zastosowanego przebiegu sinusoidalnego 50Hz / 60zHz w zakresie temperatur od -40 do + 125 ° C.

(2) 10 milisekund. maks. szerokość impulsu

(3) Maksymalna wartość dla Tj = 125 oC.

(4) Minimalna wartość liniowego i wykładniczego kształtu fali do VDRM o wartości znamionowej 80%. Otwarcie bramy. Tj = 125 oC.

(5) Niepowtarzalna wartość.

(6) Wartość di / dt ustala się zgodnie z normą EIA / NIMA RS-397, rozdział 5-2-2-6. Określona wartość byłaby dodatkiem

do tego uzyskanego z obwodu tłumiącego, zawierającego kondensator 0,2? F i rezystancję 20 omów równolegle z testowanym tyrystorem .

Blocking - Off State

VRRM (1)	VDRM (1)
20	2000

V _RRM = Powtarzalne szczytowe napięcie wsteczne

V _DRM = Repetitive peak off state voltage

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

I_{RRM
/}I_DRM

100 mA

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

Prowadzenie - na stanie

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Average value of on-state current	I_T(AV)M		1000		A	Sinewave,180^o conduction,T_sink=55^oC
RMS value of on-state current	I_TRMS		2000		A	Nominal value
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current	I_TSM		20		KA	10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC
I square t	I²t		2x10⁶		A²s	10.0 msec
Latching current	I_L		-		mA	V_D = 24 V; R_L= 12 ohms
Holding current	I_H		1000		mA	V_{D =} 24 V; I =2.5 A
Peak on-state voltage	V_TM		2.42		V	I_TM =2000 A; T_j = 125 ^oC
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		-		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V, non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current (6)	di/dt		800		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V

CHARAKTERYSTYKA ELEKTRYCZNA I OCENY

Bramkowanie

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	P_GM		30		W	t_p= 40 us
Average gate power dissipation	P_G(AV)		5		W
Peak gate current	I_GM		-		A
Gate current required to trigger all units	I_GT		- 300 -		mA mA mA	V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = -40 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = +25 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = +125^oC
Gate voltage required to trigger all units	V_GT		- 3.0 -		V V V	V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = -40 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = 0-125^oC V_D = Rated V_DRM; R_L = 1000 ohms; T_j = + 125 ^oC
Peak negative voltage	V_GRM		5		V

Dynamiczny

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Delay time	t_d		1.6	0.8	ms	I_TM =500 A; V_D = Rated V_DRM Gate pulse: V_G = 20 V; R_G = 20 ohms; t_r = 0.1 ms; t_p = 20 ms
Turn-off time (with V_R = -50 V)	t_q		-	30	ms	I_TM =1000 A; di/dt =25 A/ms; V_R ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% V_DRM; V_G = 0; T_j = 125 ^oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%
Reverse recovery charge	Q_rr		-	-	mC	I_TM =1000 A; di/dt =25 A/ms; V_R ³ -50 V

* Gwarantowane maks. wartość, skontaktuj się z fabryką.

CHARAKTERYSTYKA TERMICZNA I MECHANICZNA I OZNACZENIA

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Operating temperature	T_j	-40	+125		^oC
Storage temperature	T_stg	-40	+150		^oC
Thermal resistance - junction to case	R_Q_(j-c)		- -		K/W	Double sided cooled Single sided cooled
Thermal resistance - case to heatsink	R_Q_(c-s)		- -		K/W	Double sided cooled Single sided cooled
Thermal resistance - junction to heatsink	R_Q_(j-s)		0.02 0.04		K/W	Double sided cooled Single sided cooled
Mounting force	P	19	26		kN
Weight	W			-	g	about